晶合集成获得发明专利授权：“深沟槽的制备方法及图像传感器”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“深沟槽的制备方法及图像传感器”，专利申请号为CN202311587426.7，授权日为2024年2月20日。

专利摘要：本申请涉及一种深沟槽的制备方法及图像传感器。该深沟槽的制备方法包括：提供承载晶圆和器件晶圆；其中，器件晶圆键合于承载晶圆的一侧，包括沿远离承载晶圆方向叠置的器件层和衬底；于衬底远离器件层的一侧表面形成牺牲层；于牺牲层内形成多个间隔排布的像素定义开口；于相邻两个像素定义开口内填充形成像素单元；去除牺牲层，以于相邻像素单元之间形成深沟槽。该深沟槽的制备方法可以有效减少形成深沟槽的过程中产生的损伤，使深沟槽形成为较好的形貌。

今年以来晶合集成新获得专利授权30个，较去年同期增加了30.43%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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