苏州固锝获得发明专利授权：“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺”

证券之星消息，根据企查查数据显示苏州固锝（002079）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺”，专利申请号为CN201910358286.3，授权日为2024年2月9日。

专利摘要：一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺，步骤包括：在硅片衬底表面形成第一二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第一二氧化硅薄膜层的一第一区域；对第一区域进行第一掺杂形成N+区；将第一二氧化硅薄膜层去除，清洗后形成第二二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第二二氧化硅薄膜层的一第二区域，与第一区域间隔设置；对第二区域进行第二掺杂形成P+区；在N+区或P+区的边缘区域开沟槽；将第二二氧化硅薄膜层去除，清洗并形成多晶硅钝化复合薄膜层；在沟槽中形成玻璃钝化层；将第一、第二区域表面的多晶硅钝化复合薄膜层去除，裸露N+区及P+区；在N+区及P+区的表面沉积金属层形成金属电极。本发明的电极同侧，体积小成本低且电性能优异。

今年以来苏州固锝新获得专利授权4个，较去年同期增加了300%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5947.18万元，同比增8.22%。

数据来源：企查查

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