云南锗业获得发明专利授权：“低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示云南锗业（002428）新获得一项发明专利授权，专利名为“低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法”，专利申请号为CN202111065459.6，授权日为2024年2月6日。

专利摘要：低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。

今年以来云南锗业新获得专利授权2个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1928.1万元，同比增59.06%。

数据来源：企查查

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