高华科技获得发明专利授权：“一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示高华科技（688539）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法”，专利申请号为CN202211031946.5，授权日为2024年1月30日。

专利摘要：本发明提供一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，MEMS压阻式压力传感器包括衬底、第一氧化层、第二氧化层和压敏电阻；所述第一氧化层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第一平面的上方并平行于所述第一平面；所述第二区域的一端连接所述衬底，另一端连接所述第一区域；所述衬底、所述第一区域、所述第二区域之间围合构成中空的腔室，且至少部分所述第二区域倾斜设置；在所述第一氧化层和所述第二氧化层之间夹设所述压敏电阻，且所述压敏电阻沿所述第二区域的倾斜面敷设。本发明的一个技术效果在于，结构设计合理，不仅能够有效地缩小MEMS压阻式压力传感器的尺寸，还有助于提升MEMS压阻式压力传感器的灵敏度。

今年以来高华科技新获得专利授权4个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1865.77万元，同比增9.76%。

数据来源：企查查

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