长光华芯获得发明专利授权：“低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法”，专利申请号为CN202311447840.8，授权日为2024年1月23日。

专利摘要：本申请公开了低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，其中低敏感低发散角半导体发光器件包括衬底层，沿衬底层一侧依次堆叠的第一布拉格反射镜、谐振腔和第二布拉格反射镜，谐振腔包括至少三个有源区层，至少一个有源区层远离衬底层的一侧设置有氧化限制层，与氧化限制层相邻的有源区层中至少一个有源区层靠近衬底层的一侧设置有相移调制层，相移调制层的材料的带隙高于低敏感低发散角半导体发光器件发射的激光波长能量的带隙。本申请公开的低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，保证高增益的同时实现低发散角；降低半导体发光器件的环境敏感度，提高生产良率。

今年以来长光华芯新获得专利授权1个，较去年同期减少了66.67%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5477.17万元，同比增1.26%。

数据来源：企查查

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