高华科技获得发明专利授权：“MEMS压阻式压力传感器及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示高华科技（688539）新获得一项发明专利授权，专利名为“MEMS压阻式压力传感器及其制备方法”，专利申请号为CN202310751611.9，授权日为2024年1月19日。

专利摘要：本公开的实施例公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，包括：第一衬底和第二衬底，第二衬底固定于第一衬底以形成密闭空腔；第一压敏电阻和第二压敏电阻，分别设置于第一衬底的两个表面；永磁体，设置在第一衬底中并位于压敏电阻两侧；金属电极层，设置于第一压敏电阻和第二压敏电阻中，用于将第一压敏电阻和第二压敏电阻划分为串联的至少两个子压敏电阻；引线层、金属填充层和引出电极，引线层绝缘设置在第一衬底的第二表面，金属填充层绝缘设置在第一衬底中，引出电极绝缘设置在第一衬底的第一表面。有效提高压力传感器的灵敏度，并抑制传感器的温度漂移，减小传感器输出的非线性，提高传感器的集成度。

今年以来高华科技新获得专利授权2个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1865.77万元，同比增9.76%。

数据来源：企查查

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