亨通光电获得发明专利授权：“一种具有双台面波导导引结构的抗辐射超低损单模光纤”

证券之星消息，根据企查查数据显示亨通光电（600487）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种具有双台面波导导引结构的抗辐射超低损单模光纤”，专利申请号为CN202311141266.3，授权日为2023年12月15日。

专利摘要：本发明公开一种具有双台面波导导引结构的抗辐射超低损单模光纤，包括由中心到外依次设置的纤芯层、内包层、第一渐变层、第一过渡层、近芯台面、台面夹层、第二渐变层、远芯台面、凹陷层、第二过渡层和外包层。本发明中，近、远芯台面之间形成波导导引结构，光信号在其中多次反射从而实现更长的传播路径，减少光信号的衰减程度，提高光纤的传输效率和信号质量，在1550nm处衰减系数≤0.15dB/km，色散系数≤21ps/(nm·km)，色散斜率≤0.06ps/(nm2·km)，零色散波长≤1270nm，25年10rad辐照强度下的1550nm附加衰减≤0.001dB/km，可更好地满足高速光通信系统对色散补偿的要求。

今年以来亨通光电新获得专利授权138个，较去年同期增加了10.4%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了11.49亿元，同比增7.28%。

数据来源：企查查

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