云南锗业获得发明专利授权：“磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示云南锗业（002428）新获得一项发明专利授权，专利名为“磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法”，专利申请号为CN202210506066.2，授权日为2023年12月12日。

专利摘要：磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。

今年以来云南锗业新获得专利授权5个，较去年同期减少了58.33%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1928.1万元，同比增59.06%。

数据来源：企查查

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