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台积电罗镇球:N3已获约100份NTO 预计将成为高产量、长期运行的制程节点

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2025集成电路发展论坛(成渝)暨三十一届集成电路设计业展览会(ICCAD-Expo 2025)今日在成都举行,台积电(中国)总经理罗镇球表示,3nm是最终也是最优异的FinFET技术。其透露,台积电N3E已实现旗舰移动及HPC/AI产品的量产,N3P已按计划于2024年第四季度投产,接替N3E。台积电已提供多种N3变体以满足特定应用需求,N3X面向客户端CPU,N3A面向汽车领域,N3C面向价值级产品。N3预计将成为高产量、长期运行的制程节点,截至2025年9月已获得约100份NTO。(科创板日报)
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