电力设备与新能源行业研究：液冷肌理系列深度（一）：液冷busbar 电-热链路一体化枢纽，高密度数据中心抬升产品壁垒

（以下内容从国金证券《电力设备与新能源行业研究：液冷肌理系列深度（一）：液冷busbar 电-热链路一体化枢纽，高密度数据中心抬升产品壁垒》研报附件原文摘录）
投资逻辑
AI服务器正从单机部署走向机架级、超节点级系统，机柜功耗进入快速提升阶段。进入AI时代，GPU/ASIC、NVSwitch、高速互联、光模块等被更高密度地集成在同一机柜内，整机柜逐渐成为算力、供电、散热和互联协同设计的最小单元。以英伟达平台为例，GB200NVL72IT侧功率约136kW，Vera Rubin NVL72预计提升至约209kW，NVLink交换能力和整柜功率密度继续上行。随着后续GPU功耗提升、交换芯片数量增加以及超节点架构推进，机柜供电能力将成为AI基础设施的重要瓶颈之一。
机架母线是AI机柜内部配电系统的核心部件，主要承担大电流传输、电源分配和托盘连接功能，是机柜内部的“供电主干”。在集中式供电架构下，电源模块输出电能后，需要通过母线将电流分配至计算托盘、交换托盘等负载端，因此母线的导电能力、温升控制、压降水平、连接可靠性和安全冗余，都会直接影响整柜供电效率和运行稳定性。以英伟达机柜为例，GB200NVL72在50V集中供电下母线电流约2900A，而Vera Rubin NVL72母线电流预计提升至5000A以上，已经显著超出传统机柜配电部件的能力边界。
功率提升带来的难点不只是“电流变大”，更在于高电流需要在有限机柜空间内实现可控传输。TE Connectivity的仿真数据显示，在48V架构下，负载功率从200kW提升至400kW时，最大直流电流由4166A提升至8333A，最大温升由7.79℃提升至33.59℃，最大压降由0.10V提升至0.21V，温升压力呈明显非线性放大。与此同时，AI机柜内部空间被芯片冷却部件、线缆和结构件共同占用，母线很难简单依靠加宽、加厚铜排来解决大电流问题，换言之，AI机柜功耗提升后，母线不再是普通配电件，而是影响整柜电力密度、热管理效率和系统可靠性的关键基础部件。
液冷Busbar有望成为高功率AI机架的重要产品趋势，800V高压供电将进一步提高母线性能要求。相比传统风冷或自然散热母线，液冷Busbar通过在母线结构中引入冷却流道，或与整柜液冷系统协同，将导电、散热、流体密封、绝缘防护和可靠性测试集成到同一部件中，使产品壁垒从传统铜排加工升级为“电-热-液”一体化设计制造能力。TE已推出面向200kW、400kW和750kW等级的液冷垂直母线方案；Molex在2026年Computex展示多通道液冷母线方案，冷却效率最高可提升20%，并在15000A电流下将温升控制在15℃左右，液冷Busbar已经进入量产应用阶段。此外，800V高压直流架构的导入将进一步提高母线在绝缘、安全防护、连接可靠性和结构集成方面的性能要求，推动机架母线从低压大电流部件向高压高可靠组件继续升级。
铜材料是机架母线的核心材料。铜具备更低电阻率、更高导电率和更高导热率，在大电流、高功率密度场景中更有利于降低线路损耗、控制温升并压缩结构尺寸。液冷Busbar和高压母线对铜材也提出了更高要求，产品竞争重点将从基础铜排供给，进一步延伸到高纯铜/铜合金材料、复杂截面成型、冷却流道协同、焊接与密封、绝缘包覆、平整度控制和批量一致性管理。因此，机架母线升级本质上会带来材料、结构、工艺和验证体系的全面升级，具备高性能铜材、精密加工、客户协同开发和批量质量控制能力的供应商，有望在AI机柜功率升级过程中率先受益。
投资建议与估值
机架母线液冷渗透率提升，以及800V HVDC高压直流架构在新建数据中心导入，将对母线核心部件铜排带来材料和结构升级机会，相关标的：铜排及高性能铜材主要供应商金田股份、博威合金、电工合金等。
风险提示
产业化进度不及预期，产品认证及产能释放不及预期。