存储芯片板块跟踪报告（三）：DDR3供不应求，涨价行情向利基市场扩散

（以下内容从开源证券《存储芯片板块跟踪报告（三）：DDR3供不应求，涨价行情向利基市场扩散》研报附件原文摘录）
本周复盘：现货市场流速缓慢，供需双方博弈激烈
指数方面：据闪存市场数据，2024年第11周存储市场有所分化，NAND指数单周提升0.63%，DRAM指数单周下降0.02%，基本持平。价格方面：NANDFlash Wafer价格持平不变，DDR4eTT资源跟随实际成交价小幅调涨；渠道市场方面，一季度淡季渠道需求平淡，渠道出现少量抛货现象，而成本端并未下降，因此行情整体变动不大，价格持平不变；行业市场方面，近期行业市场以少量备货需求为主，整体需求较淡，还有延迟提货的迹象，本周行业价格持平不变；嵌入式Flash方面，由于嵌入式资源供应依然有限，伴随现货市场嵌入式产品需求稳固，本周部分嵌入式价格上调：eMCP和uMCP价格全面上涨（周环比+2.8%/+5.5%），部分eMMC和UFS价格上调（周环比+1.5%/+1.4%），嵌入式LPDDR价格持平不变。
利基型市场：DDR3供不应求，Q2价格有望调涨20%
供给方面，据闪德资讯报道，三星、SK海力士、美光三大原厂全力抢占HBM、DDR5等新兴市场，新产能均投入相关新品，逐渐退出DDR3市场，利基型DRAM产能供给减少。需求方面，近期随着AI、网通的需求增加，AI技术导入后终端产品对DDR3有容量升级的需求。价格方面，三大原厂已陆续于2023Q4起喊涨DDR3价格，随着市场供不应求，华邦也计划在2024Q2跟进涨价，将DDR3价格调升20%，幅度可观。2023H2以来，主流存储产品价格已明显回暖，随着利基型市场供需结构改善，DDR3等利基型存储产品有望接力上涨，实现存储芯片的全品类复苏，板块景气度持续提升。
大厂近况：开工率逐步提升，中国台厂营收连续多月同比高增
据闪德资讯报道，随着库存调整和智能手机市场需求转好，三星西安工厂稼动率正持续提升，目前已达70%；与此同时，铠侠计划在3月内将NAND稼动率提升至90%，大厂近期稼动率调升动作频繁，反应需求正逐步向好。大厂表现方面，随着价格逐步回暖，韩国2月存储芯片出口额同环比大幅双增（同比+108%/环比+14%），多家中国存储台厂营收连续多月同比上涨，南亚科技、十铨等企业连续三月同比增长30%以上，势头良好。随着板块持续复苏，以及HBM和DDR5等产品的需求增长，相关公司有望充分受益，受益标的：
（1）存储芯片：兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等；
（2）存储模组：江波龙、德明利、协创数据、佰维存储等；
（3）存储接口：澜起科技、聚辰股份等；
（4）存储封测及HBM产业链：长电科技、通富微电、华天科技、香农芯创等
风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。