1月11日，英特尔正式发布第四代至强可拓展处理器SapphireRapids和至强CPUMax系列产品。与前几代产品相比，第四代至强处理器在使用内置加速器时，目标工作负载的平均性能每瓦效率可提高2.9倍。在优化的功耗模式下，每个CPU可节省高达70W的功耗，同时将特定工作负载的性能损失降至最低，总拥有成本（TCO）可降低52%至66%。
AI算力10倍提升更好匹配数据中心真实工作负载，首次支持DDR5和PCIe5.0，有望拉动终端服务器更新。SapphireRapids是为新平台“EagleStream”平台设计，主要用于数据中心。此款芯片在人工智能推理和训练性能上提升高达10倍，更好契合当前数据中心的算力需求结构。该系列芯片首次支持PCIe5.0和DDR5技术。DDR5比DDR4速度提升50%至4800MT/s，工作电压降低至1.1V，从而实现能耗20%的降低。PCIe5.0平台带宽和传输速率都翻倍提升，打破了未来使用尖端SSD和GPU的潜在性能瓶颈。我们认为终端云服务厂商有望集中更新服务器，行业景气度将进一步提升。
DDR5带动内存接口芯片和配套芯片更新迭代。DDR5的速率提升要求接口芯片在容量、速率、功耗和信号完整性等主要参数上进一步升级。根据澜起科技公告，除了配套DDR5做了容量、速度、功耗、完整性上的提升外，其第一子代RCD芯片提供了奇偶校验功能，DB芯片的数据预取提升至16位。性能的升级和功能的增加将带来接口芯片ASP的大幅提升。内存模组在DDR4的“1+9”架构提升为DDR5的“1+10”架构，DB用量也将提升。目前DDR5内存接口芯片的竞争格局与DDR4世代类似，全球只有三家供应商可提供DDR5第一子代的量产产品，分别是澜起、瑞萨电子和Rambus。
DDR5推动内存模组集成化，内存模组产业链公司将受益。DDR5由于基础电压降低至1.1V,PMIC从主板转移至内存模组从而实现电源更有效的控制。SPD上也集成了总线集成器件(Hud)和高温度传感器(TS)。DDR5内存模组的集成化带来产业链公司品类拓张的良机，如澜起科技就与聚辰股份合作SPDEEPROM产品并已成功量产出货。
PCIe5.0对单位损耗要求大幅提升，PCB和Retimer迎来产业机遇。PCIe5.0标准传输速度提高一倍，但是留给系统基板的通道损耗预算仅从13.5dB提升至16.0dB，因此对基板单位传输损耗的要求大幅提升。配套PCB需要从材质、层数、加工工艺上全面升级，带来数通PCB价值量的大幅提升。Retimer芯片能够补偿信号损失并消除噪音，提升信号完整性和传输距离。PCIe5.0世代Retimer芯片需求呈“刚性化”趋势，带动行业实现从1到10的成长。
投资建议：建议关注内存接口芯片【澜起科技】；配套芯片【聚辰股份】；PCB【沪电股份】风险提示：需求不及预期、原材料成本大幅上升、产能扩产不及预计
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