兆易创新2018中报点评:持续加大研发投入,不断开发新产品和技术升级

H1净利增速高于营收增速,盈利能力有所提升

公司2018H1营业收入11.07亿元,同比增长17.88%;净利润为2.35亿元,同比增长30.99%;扣非后归母净利润为2.19亿元,同比增长38.52%,净利增速高于营收增速。单从二季度看,公司2018Q2营收5.65亿元,同比增长16.18%,相比2018Q1营收增速19.71%略有下降;净利润1.46亿元,同比增长32.54%,相比2018Q1净利润增速28.55%有所提升。

公司2018H1毛利率为37.87%,同比增加2.18pct;净利率为21.22%,同比增加2.02pct。单从二季度看,公司2018Q2毛利率为37.52%,同比降低3.68pct,相比2018Q1毛利率为38.24%略有下降;净利率为25.71%,同比增加2.96pct,相比2018Q1净利率为16.55%大幅增加。公司Q2毛利率下降情况下,净利率大幅增加主要是由于汇兑损益影响。

持续加大研发投入,不断开发新产品和技术升级

公司持续加大研发投入,2018H1研发投入0.93亿元,同比增长97.08%。公司继续优化产品结构,不断进行技术升级和新产品开发,丰富公司产品线。

NORFlash扩展高容量产品,实现512Mb大容量产品量产,并丰富了宽电压、低功耗等产品线型号。工艺方面基于目前65nm技术平台,加大推进先进工艺节点55nmNORFlash技术产品研发,在性能和成本方面进一步提高竞争力。

NANDFlash38nm产品已稳定量产,具备业界领先的性能和可靠性,基于38nm工艺平台继续进行产品开发,扩充产品线。24nmNANDFlash也在推进研发工作,未来将具备更好的产品成本优势、提供更高产品容量范围,进一步扩展产品组合。

MCU产品扩展产品组合,针对高性能、低成本和物联网应用分别开发新产品。高性能M4系列产品实现量产,在指纹识别、无线充电等新型热门领域取得广泛应用。更低功耗和成本的M3系列产品推出,继续保持M3产品市场的领先优势,面对物联网发展需求,规划并开展无线MCU产品的研发。目前产品主要采用110nm、55nm工艺平台,已经启动40nm工艺制程平台产品开发,并按计划开展新工艺流程研发和评估工作。

入股中芯国际形成虚拟IDM,并购思立微实现协同发展

对芯片设计企业来说,晶圆代工厂由于对资金和规模的要求较高,产能相对集中,制造工艺和设计的协同性需要较长时间的积累,同时工艺节点的配合直接决定了产品质量的好坏,往往设计企业与晶圆厂商的合作成为了其业务能否发展的重要壁垒。公司于2017年11月通过境外全资子公司芯枝佳易参与认购中芯国际发行配售股份,投资总额不超过7000万美元,进一步加强战略关系,形成虚拟IDM,同时有利于保证公司产能。

2018年7月,公司公告拟以发行股份及支付现金的方式收购上海思立微100%股权。思立微的产品以触控芯片和指纹芯片等新一代智能移动终端传感器SoC芯片为主。本次交易将一定程度上补足公司在传感器、信号处理、算法和人机交互方面的研发技术,提升相关技术领域的产品化能力,在整体上形成完整的MCU+存储+交互系统解决方案,为公司进一步快速发展注入动力。根据集微网报道,思立微已成为OPPOR17指纹芯片供应商,未来有望受益屏下指纹识别趋势。

合肥长鑫DRAM项目进展顺利,未来发展空间巨大

公司2017年10月与合肥产投签署共同开发DARM存储芯片协议,项目预算约为180亿元,双方根据1:4的比例筹集。项目研发目标是在2018年年底前实现产品良率不低于10%。合肥长鑫项目一期投资500亿元,总投资1540亿元,一期产能为150万片DRAM晶圆。2018年7月合肥长鑫的行动式存储项目正式投片,产品规格为8GbLPDDR4,产品上市指日可待。根据WSTS数据显示,2017年全球存储芯片市场空间约1220亿美元,其中DRAM市场规模超600亿美元,但主要由三星、海力士、美光三家公司占据。目前,DRAM尚未实现国产化,未来随着合肥长鑫进展顺利,国产替代空间巨大。

估值与评级

我们维持公司2018-2020年EPS预测为2.26、3.27、4.64元,当前股价对应PE为51、35、25倍,维持6个月目标价为135.6元,维持“买入”评级。

风险提示:

并购思立微不成功风险,收购整合不及预期风险,新产品研发不及预期风险。