华金证券：HBM成为AI芯片最强辅助 国产供应链加速配套

（原标题：华金证券：HBM成为AI芯片最强辅助 国产供应链加速配套）

智通财经APP获悉，华金证券发布研究报告称，HBM突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成为AI芯片最强辅助，该行认为HBM将持续迭代，I/O口数量以及单I/O口速率将逐渐提升，HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。

相关标的：包括封测环节：通富微电(002156.SZ)(先进封装)、长电科技(600584.SH)(先进封装)等;设备环节：拓荆科技(688072.SH)(PECVD+ALD+键合设备)、华海清科(688120.SH)(减薄+CMP)、芯源微(688037.SH)(临时键合与解键合)等;材料环节：华海诚科(688535.SH)(环氧塑封料)、天承科技(688603.SH)(RDL+TSV电镀添加剂)、艾森股份(688720.SH)(先进封装电镀)等。

华金证券观点如下：

HBM加速迭代，市场空间足：

HBM突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成为AI芯片最强辅助，该行认为HBM将持续迭代，I/O口数量以及单I/O口速率将逐渐提升，HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。

HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4剑指混合键合：

当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠(TSV一般由晶圆厂完成，封测厂可在堆叠环节进行配套)，但随着堆叠层数的增加散热效率很差，TCB不再满足需求，海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding方案，取消互连凸块。该行预判当前HBM主流依然是TCB压合，MR-MUF方案为过渡方案，未来混合键合是大趋势。液态塑封料LMC依然是晶圆级封装至关重要的半导体材料之一。

混合键合与TSV是3D封装的核心，HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇：

混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W，3D NAND使用W2W，典型案例为长鑫存储的Xstacking，CMOS层+存储层采用W2W混合键合方案，预计HBM未来亦会采用W2W方案，W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆，避免损失。根据该行产业链研究，混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP需求，根据BESI官方数据，预计存储领域未来贡献混合键合设备明显增量，保守预计2026年需求量超过200台，减薄+CMP亦成为重要一环。当前HBM方案主要带动固晶机、临时键合与解键合、塑封装备以及TSV所需的PECVD、电镀、CMP等设备;材料端则是TSV电镀液、塑封料等。

风险提示：行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。