英诺赛科(02577.HK)：自愿公告 英诺赛科为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案,赋能新一代AI Factories内容摘要

（原标题：自愿公告 英诺赛科为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案,赋能新一代AI Factories）

英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司自願公告，旨在讓股東及潛在投資者了解公司最新業務發展。NVIDIA將支持800 VDC電源架構，該架構為人工智能數據中心帶來突破性進展，可實現更高效率、更高功率密度，降低能耗與二氧化碳排放。機架電壓從48V提升至800V可使電流降低16倍，大幅減少I2R損耗及銅材需求。

英諾賽科正與NVIDIA合作，支持800 VDC電源架構，為新一代GPU路線圖擴展提供保障。傳統48V人工智能系統面臨效率低、銅耗高問題，超45%功耗用於散熱。未來AI集群若沿用舊式設計，將無法容納足夠計算單元。800 VDC架構是實現系統從千瓦級躍升至兆瓦級的關鍵。

該架構要求在800V到1V轉換中實現超高功率密度與效率，唯有氮化鎵（GaN）功率器件可滿足。為達成目標，電源開關頻率需提升至近1MHz，可使磁芯尺寸縮減約50%。現有電源最高開關頻率為300kHz。

英諾賽科第三代氮化鎵技術具備多項優勢：在800V輸入側，相比碳化硅（SiC），可降低80%驅動損耗與50%開關損耗，整體功耗降低10%；在54V輸出端，僅需16顆GaN器件即達成32顆硅MOSFET的導通損耗，功率密度提升一倍，驅動損耗降90%；在低壓轉換階段，相比硅MOSFET，開關損耗降70%，相同體積下功率輸出提升40%。

英諾賽科為業內唯一實現1200V至15V氮化鎵量產的全棧GaN供應商，可提供從800V到1V的全鏈路解決方案。其第三代器件通過2000小時動態HTOL測試、175°C高溫驗證及大樣本失效分析，確保數據中心級產品壽命逾20年。