银河微电: 中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2024年半年度持续督导跟踪报告内容摘要

（原标题：中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2024年半年度持续督导跟踪报告）

中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2024年半年度持续督导跟踪报告

保荐机构名称： 中信建投证券股份有限公司|被保荐公司名称： 常州银河世纪微电子股份有限公司

保荐代表人姓名：宣言|联系方式：021-68801584|联系地址：上海市浦东南路 528号上海证券大厦北塔 2203室

保荐代表人姓名：王家海|联系方式：021-68801574|联系地址：上海市浦东南路 528号上海证券大厦北塔 2203室

根据《证券发行上市保荐业务管理办法（2023年修订）》、《上海证券交易所科创板股票上市规则（2024年 4月修订）》、《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 11号——持续督导（2023年修订）》等相关规定，中信建投证券股份有限公司作为常州银河世纪微电子股份有限公司的首次公开发行股票和向不特定对象发行可转换公司债券的保荐机构，对银河微电进行持续督导，并出具本持续督导跟踪报告。

一、持续督导工作情况

本保荐机构已建立健全并有效执行了持续督导工作制度，并制定了相应的工作计划。

本保荐机构于2020年3月及2021年12月与银河微电签订《保荐协议》，协议明确了双方在持续督导期间的权利和义务，并报上海证券交易所备案。

本保荐机构通过日常沟通、定期或不定期回访、现场检查等方式，了解银河微电经营及规范运作等情况，对银河微电开展持续督导工作。

银河微电在2024年1月1日至2024年6月30日期间未发生按有关规定需保荐机构公开发表声明的违法违规情况。

本持续督导期间，银河微电及相关当事人未发生违法违规或违背承诺等事项。

本持续督导期间，银河微电及其董事、监事、高级管理人员遵守法律、法规、部门规章和上海证券交易所发布的业务规则及其他规范性文件，并切实履行其所做出的各项承诺。

在本持续督导期间，银河微电依照相关规定进一步健全公司治理制度，并严格执行相关公司治理制度。

本持续督导期间，银河微电的内控制度符合相关法规要求并得到了有效执行，能够保证公司的规范运行。

在本持续督导期间，银河微电严格执行信息披露制度。

在本持续督导期间，上市公司未发生信息披露文件及向中国证监会、上海证券交易所提交的其它文件存在问题，而不予更正或补充的情况。

本持续督导期间，银河微电及其控股股东、实际控制人、董事、监事、高级管理人员未发生该等事项。

本持续督导期间，银河微电及其控股股东、实际控制人等不存在未履行承诺的情况。

本持续督导期间，银河微电不存在应披露未披露的重大事项或与披露的信息与事实不符的情况。

本持续督导期间，银河微电未发生相关情况。

本保荐机构已制定了现场检查的相关工作计划，并明确了现场检查工作要求。

本持续督导期间，银河微电不存在未履行承诺的情况，本保荐机构将持续关注上市公司的承诺履行情况。

二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况

无。

三、重大风险事项

公司目前面临的风险因素主要如下：

1、新产品开发风险

2、技术研发不及预期风险

3、核心技术人员流失及技术泄密风险

1、原材料价格波动风险

2、环保风险

3、固定资产折旧的风险

1、存货损失风险

2、应收账款回收风险

1、与国际领先企业存在技术差距的风险

2、市场竞争风险

3、产业政策变化的风险

1、宏观经济波动风险

2、国际经贸摩擦波动风险

3、税收优惠政策变动的风险

4、汇率波动的风险

四、重大违规事项

本持续督导期间，公司不存在重大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性

2024年 1-6月，公司实现营业收入 41,609.48万元，同比增加 26.09%；实现归属于母公司所有者的净利润 3,484.19万元，同比增加 14.15%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 2,208.18万元，同比增加 24.15%，主要系 2024年上半年，公司生产经营和销售情况平稳恢复，营业收入有所增长所致。

2024年上半年，公司经营活动产生的现金流量净额为 2,825.84万元，同比降低 42.16%，主要系 2024年上半年购买商品、接受劳务支付的现金略有上升，经营活动现金流出有所增加所致。

报告期末，公司财务状况良好，总资产 202,372.59万元，较报告期初增加 1.68%。

六、核心竞争力的变化情况

报告期内，公司专注核心技术积累与新产品开发，坚持保障研发投入，2024年上半年累计投入 2,469.03万元，占营业收入比例为 5.93%，新增申请专利 13项，其中发明专利 5项。

公司扎实推进多个研发项目的实施，涵盖了芯片设计、芯片工艺、封装工艺平台基础技术研发、新封装开发、产学研关键技术开发等研发项目，具体包括用于功率模块的 FRD芯片开发，6英寸平面芯片技术及产品开发，超低阻抗高散热功率贴片封装及器件开发，新能源汽车用 SiC MOSFET功率器件和模块关键技术研发等。

七、研发支出变化及研发进展

（一）研发支出及变化情况

单位：元

| 项目|本期数|上年同期数|变化幅度（%）| | ---|---|---|---| | 费用化研发投入|24,690,301.85|21,398,632.49|15.38| | 资本化研发投入|-|-|-| | 研发投入合计|24,690,301.85|21,398,632.49|15.38| | 研发投入总额占营业收入比例（%）|5.93|6.48|减少0.55个百分点| | 研发投入资本化的比重（%）|-|-|-|

（二）在研项目情况

本持续督导期间，公司的在研项目情况如下：

单位：万元

| 序号|项目名称|预计总投 资规模|本期投 入金额|累计投 入金额|进展或阶段性成果|拟达到目标|技术 水平|具体应用前景| | ---|---|---|---|---|---|---|---|---| | 1|基于深度 学习的半 导体封装 缺陷检测 技术|30.00|0|30.39|项目完成|基于深度学习原理，设计出可以自动检测产 品塑封体外观划痕、破损、压脚、气孔不良， 应用到封装产线，提高产线制程检验能力和 效率。|国内 领先|产线外观质量的在线监测| | 2|6英寸平 面芯片技 术及产品 开发|600.00|137.92|561.86|研发阶段|扩展 6英寸平面芯片工艺平台，完成全系列 稳压二极管和高可靠度高频开关二极管芯片 开发。|国内 先进|家电、电源、智能电表、照明、 通信、汽车电子等| | 3|面向平面 芯片的精 密封装技 术及产品 开发|1,000.00|476.10|476.10|小批量|通过高位置精度和胶量稳定性控制方法实现 平面芯片高可靠度组装，有效控制芯片的焊 接外观质量和可靠性，降低焊接空洞率，实 现封装良率和可靠性能的提升。|国内 先进|广泛应用于家电、电源、智能 电表、照明、通信、汽车电子 等行业| | 4|超低阻抗 高散热功 率贴片封 装及器件 开发|1,600.00|896.38|896.38|小批量|开发出车规级 SiC MOS器件 TO-247-4L封 装，制程中采用画锡、真空回流烧结等特殊 工艺提高器件的可靠性；通过对 MOS晶圆背 面金属的材质选取及厚度分布的研究，平衡 芯片材料硅与框架铜之间的热应力，实现较 大尺寸芯片能够实现共晶焊接不产生分层； 通过设计特殊的焊接工装，失效薄框架小尺 寸贴片封装的铝带焊接，降低器件的封装阻 抗，提高器件的电流功率密度。|国内 先进|汽车电子、