长光华芯获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202611191711.0，授权日为2026年11月10日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括第一应变缓冲层、第一超晶格结构至第M超晶格结构，任意第m超晶格结构包括在第一超晶格单元至第Hm超晶格单元；任意第m超晶格结构中任意第hm超晶格单元包括Wm个子层，任意第hm超晶格单元中相邻的两个子层中一个呈压应变、另一个张应变；。

今年以来长光华芯新获得专利授权14个，较去年同期减少了48.15%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5753.85万元，同比增0.2%。

通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目82次；财产线索方面有商标信息22条，专利信息298条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源：企查查

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