长光华芯获得发明专利授权：“边发射半导体激光器及其制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“边发射半导体激光器及其制备方法”，专利申请号为CN202611122670.X，授权日为2026年11月10日。

专利摘要：本发明提供一种边发射半导体激光器及其制备方法，其中，边发射半导体激光器包括半导体衬底层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和第一上限制层和第二上限制层；边发射半导体激光器还包括P型的第一半导体掺杂层、N型的第二半导体掺杂层、第三半导体掺杂层、N型的第四半导体掺杂层和N型的第五半导体掺杂层，第三半导体掺杂层中具有第一受主元素并呈半绝缘态。提升边发射半导体激光器的功率效率和可靠性。

今年以来长光华芯新获得专利授权14个，较去年同期减少了48.15%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5753.85万元，同比增0.2%。

通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目82次；财产线索方面有商标信息22条，专利信息298条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源：企查查

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