晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器”，专利申请号为CN202610941777.0，授权日为2026年11月10日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器，所述方法包括：在第一晶圆中形成第一凹槽，并在第二晶圆中形成第二凹槽，在第一凹槽的腔室中形成第一牺牲层，并在第二凹槽的腔室中形成第二牺牲层，在第一牺牲层表面和/或第二牺牲层表面设置偶联剂，键合第一晶圆和第二晶圆，得到键合晶圆；在键合晶圆中，第一凹槽的开口和第二凹槽的开口连通，第一牺牲层和第二牺牲层通过偶联剂键合，可以提高第一晶圆和第二晶圆边缘的键合强度，进而减少在减薄键合晶圆的过程，第一晶圆和第二晶圆的边缘出现崩边和裂纹的情况。

今年以来晶合集成新获得专利授权426个，较去年同期增加了30.28%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.09亿元，同比减12.32%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目665次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1901条，著作权信息20条；此外企业还拥有行政许可36个。

数据来源：企查查

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