拓荆科技获得实用新型专利授权：“进气结构、半导体工艺的供气系统和设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示拓荆科技（688072）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“进气结构、半导体工艺的供气系统和设备”，专利申请号为CN202521556011.8，授权日为2026年9月15日。

专利摘要：本实用新型公开了一种进气结构、半导体工艺的供气系统和设备。该进气结构位于反应腔内的上方，包括：第一气道和第二气道，分别用于通入第一气体和第二气体；混气腔，其进气口连接所述第一气道和所述第二气道，使所述第一气体和所述第二气体在所述混气腔内初级混气，获得初级混合气体，且所述混气腔的出气口口径小于所述进气口口径，以使所述初级混合气体在输出时二级混气，获得最终混合气体。上述进气结构，能够延后易反应的两种工艺气体的混合点，避免其在传输过程中提前混合反应生成固体颗粒，同时还能够提升延后混气的混气效果，从而保证了设备成膜质量，以及设备可靠性。

今年以来拓荆科技新获得专利授权23个，较去年同期减少了39.47%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3.44亿元，同比增14.29%。

通过天眼查大数据分析，拓荆科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目109次；财产线索方面有商标信息110条，专利信息732条，著作权信息32条；此外企业还拥有行政许可40个。

数据来源：天眼查APP

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