长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及其形成方法、电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其形成方法、电子设备”，专利申请号为CN202610475581.7，授权日为2026年9月4日。

专利摘要：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括层叠的半导体层和初始牺牲层，堆叠结构具有沟槽，沟槽至少贯穿堆叠结构并露出衬底的部分表面；沿第一方向刻蚀初始牺牲层，以形成牺牲层，牺牲层暴露半导体层的第一部分，半导体层的第一部分的端部构成沟槽的部分侧壁；第一方向平行于衬底；形成第一介质层，第一介质层覆盖牺牲层的端面，且沿第一方向延伸覆盖半导体层的第一部分的部分外侧壁；利用第一介质层，对暴露的半导体层的第一部分进行第一掺杂处理，以形成掺杂区。该方法可减小器件的漏电流，提高器件的性能。

今年以来长鑫科技新获得专利授权39个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1084次；财产线索方面有商标信息420条，专利信息715条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。

数据来源：天眼查APP

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