臻宝科技（688797）2026年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期臻宝科技（688797）发布2026年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）公司所处行业发展情况

    根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司归属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”（代码：C39）下的“电子专用材料制造”（代码：C3985）。根据国家统计局颁布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司所属行业领域属于“1新一代信息技术产业”之“1.2电子核心产业”之“1.2.3高储能和关键电子材料制造”。

    2026年上半年，全球半导体行业延续强劲增长态势。受益于AI算力需求持续扩张、存储芯片量价齐升以及先进制程工艺的快速推进，半导体产业正经历一轮历史性的上行周期。据世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2026年全球半导体市场规模将突破1.51万亿美元，同比增长约90%。其中，根据TrendForce预测，存储芯片成为本轮周期的核心引擎，2026年全球半导体存储市场规模预计增长至约0.89万亿美元，同比增幅达296%。

    随着半导体行业景气度提升，同步促进相关半导体设备及材料零部件的需求提振，盈利抬升。根据国际半导体产业协会（SEMI）发布的《年中总半导体设备市场预测报告》，2026年全球半导体制造设备销售总额预计达到1,659亿美元，同比增长23.2%，连续五年保持增长态势；预计2028年全球半导体制造设备市场规模将进一步攀升至2,295亿美元，2025—2028年三年复合增速达19.4%。

    中国大陆是全球规模最大的半导体设备终端需求市场，在地缘技术管制持续收紧、全产业链供应链自主可控诉求全面提升、本土设备整机技术突破持续提速的驱动下，国内半导体设备核心零部件国产化进程迎来显著加速窗口。根据华西证券2026年半导体零部件行业深度报告测算数据，2026年国内半导体零部件整体市场规模预计突破1,600亿元；其中各类机械类精密零部件市场规模合计约500亿元。随着国内头部晶圆厂先进制程、存储产线持续加码扩产，叠加本土设备厂商实现多品类整机工艺技术突破，上游核心零部件导入已告别单一零部件样品验证的单点突破阶段，全面迈入批量导入产线、多品类配套协同落地的加速渗透新阶段。

    公司主营半导体及显示面板真空腔体精密零部件研发、生产与销售，并配套精密清洗、涂层再生等表面处理服务，产品覆盖等离子刻蚀、薄膜沉积、离子注入等集成电路前道核心工艺。其中等离子刻蚀相关零部件为核心业务，零部件长期承受等离子轰击与腐蚀气体侵蚀，具备显著的消耗属性，下游客户需定期更换。公司核心产品直接影响刻蚀制程稳定性与晶圆良率，客户涵盖国内主流晶圆制造厂商、存储IDM厂商及海力士（大连）等外资晶圆厂。

    1.半导体刻蚀工艺发展情况

    等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺步骤之一，其作用是按照光刻胶定义的图案，在晶圆表面选择性地去除特定材料，以形成精细的电路结构。刻蚀设备为晶圆制造三大核心设备之一，与光刻设备、薄膜沉积设备并列，在晶圆厂前道设备投资中占比约20%-25%。随着芯片制程从7nm向5nm、3nm乃至2nm持续微缩，多重图形化工艺广泛应用，刻蚀工艺的重要性持续提升，先进逻辑制程所需刻蚀工序可达140道以上，工艺复杂度显著增加。

    干法等离子刻蚀主要分为ICP电感耦合等离子体刻蚀与CCP电容耦合等离子体刻蚀两大主流技术路线，二者工艺特性互补，共同覆盖逻辑、存储芯片全部核心图形化工序。ICP刻蚀通过腔体外射频线圈感应产生等离子体，可实现等离子体密度与离子轰击能量独立调控，等离子体密度高、工艺窗口宽，主要应用于单晶硅、多晶硅、金属栅极等导体/半导体材料刻蚀；CCP刻蚀依靠平行极板射频电场激发等离子体，离子轰击能量更高，擅长氧化硅、氮化硅等介质层高深宽比刻蚀，广泛用于3DNAND深孔、逻辑芯片介质图形加工。形象而言，ICP工艺优势在于精细图形塑造，实现“刻得精”；CCP工艺优势在于垂直纵深结构加工，实现“刻得深”。

    从市场结构来看，ICP与CCP设备合计占据干法等离子刻蚀设备绝大部分市场份额。近年来，存储产线3DNAND高深宽比介质刻蚀需求持续扩容，带动CCP设备装机需求上行，而ICP设备凭借工艺可调性优势，在逻辑芯片硅刻蚀、金属栅极刻蚀工序具备不可替代性。随着芯片制程持续微缩、3DNAND堆叠层数不断提升、多重图形化工艺大规模普及，晶圆厂同步加大两类设备资本开支，先进制程对刻蚀均匀性、图形选择比、形貌控制标准持续提升，直接拉动腔体消耗性零部件采购与翻新需求。

    同时，在后摩尔时代，单纯依靠晶体管尺寸微缩的技术路径逐步放缓，先进异构封装成为芯片性能提升的重要方向，持续打开刻蚀工艺全新增长曲线。随着Chiplet架构加速落地，混合键合、硅通孔（TSV）、硅桥（SiBridge）、2.5D/3D堆叠等工艺逐步量产，催生大量差异化刻蚀需求：TSV工艺依赖深硅刻蚀制备垂直互连通道；硅桥制造依靠高精度图形刻蚀实现芯片间高密度互联；混合键合配套晶圆活化、介质图形化工序同样离不开等离子刻蚀支撑。此外，先进封装工艺场景大量应用深反应离子刻蚀（DRIE），对刻蚀侧壁形貌、应力控制、工艺稳定性提出全新要求，带动刻蚀设备需求扩容，并推动真空腔体内部消耗性零部件材料迭代、规格升级，为公司精密零部件业务开辟中长期新增市场空间。

    2.半导体刻蚀工艺核心零部件的发展情况

    半导体刻蚀设备真空腔体零部件为设备核心工艺组件，直接参与晶圆刻蚀化学反应与等离子体调控过程，其精度、材质稳定性与洁净度水平对芯片制程精度、工艺一致性及晶圆良率具备关键性影响。公司核心刻蚀腔体零部件产品主要涵盖硅、石英、碳化硅、工程塑料及氧化铝陶瓷部件等多品类。多年来，全球半导体刻蚀设备高端核心零部件市场长期由海外头部企业主导，在全球产业格局重构、半导体产业链自主可控的行业大背景下，国内晶圆厂持续推进核心设备零部件的国产化验证与批量导入，为国内具备核心技术与量产能力的零部件企业带来确定性发展机遇。

    ICP与CCP刻蚀设备的腔体工作环境存在显著差异，两类设备配套的消耗性核心零部件品类、材料选型标准及核心性能要求具有一定区别，具体特征如下：

    ICP刻蚀腔体核心消耗零部件主要包括绝缘盖板（也称介质窗）、气体分配盘、聚焦环、内衬、窗视镜等组件。该类腔体具备等离子体密度高、化学腐蚀氛围浓郁的工况特点，零部件长期处于卤素等离子侵蚀环境中，因此核心性能要求集中于超高纯度、低杂质析出、优异的耐等离子化学腐蚀能力，同时需保障长期尺寸精度稳定性，有效抑制微颗粒产生，维持腔体内全域等离子体分布均匀。其中导电功能结构件主要采用单晶硅、碳化硅等高纯导电材质，绝缘、透光及气体分配结构则以高纯石英、氧化铝陶瓷为核心选型材料。

    CCP刻蚀腔体核心消耗零部件以上部电极（也称喷淋头）、聚焦环、内衬、绝缘环等为主。相较于ICP腔体，CCP腔体离子轰击强度更高，零部件需持续承受高强度物理冲击与周期性热循环载荷，除耐化学腐蚀性能外，对材料抗溅射脱落、抗热震、表面耐磨及结构稳定性的要求更为严苛。在介质刻蚀工况下，零部件表面微观形貌、材料致密度与晶粒结构直接决定晶圆缺陷率与工艺良率。当前先进制程产线正加速材料迭代，以碳化硅、氧化钇涂层陶瓷逐步替代传统石英、纯硅基零部件，有效适配高深宽比介质刻蚀的高端工艺需求。

    整体来看，半导体刻蚀腔体核心零部件行业呈现以下技术与产业演进趋势：

    （1）材料体系多元化、复合化协同发展

    石英、硅、碳化硅、工程塑料、功能陶瓷等材料基于自身特性适配不同工艺场景，不存在单一通用型材料。单晶硅具备高纯度优势，碳化硅拥有优异耐磨耐腐蚀性能，石英、陶瓷绝缘特性突出。随着先进制程工艺复杂度与工序精细度持续提升，单一材质已无法满足多步骤、高精密刻蚀的综合性能需求，行业对多材料协同设计、一体化精密制造的能力要求持续提高。具备多材料体系研发、加工与应用适配能力的企业，可提供一站式零部件解决方案，有效匹配客户差异化工艺需求，同时降低客户端异常溯源成本，形成显著市场竞争优势。

    （2）耐等离子腐蚀与低颗粒污染性能持续升级

    零部件高纯度、低析出、低颗粒脱落的核心性能，是保障刻蚀工艺稳定、控制晶圆良率损耗的关键。在先进制程节点持续迭代、工艺线宽持续缩小的背景下，微量颗粒污染及材料表面缺陷对芯片良率的负面影响被持续放大，下游客户对零部件洁净度、耐等离子体冲刷腐蚀的标准持续拔高。当前行业技术迭代方向明确，例如碳化硅凭借优异的综合耐腐蚀与抗溅射性能，逐步应用于高端刻蚀场景；同时高纯氧化铝陶瓷、氧化钇耐蚀涂层制备技术快速产业化，成为先进制程零部件升级的主流路径。

    （3）高精密加工与表面处理一体化要求持续强化

    精密加工精度决定零部件尺寸一致性、装配匹配精度与设备运行稳定性，表面处理工艺直接影响零部件耐腐蚀寿命、腔体洁净度与等离子体反应稳定性，二者深度绑定、缺一不可。行业发展过程中，单纯的零部件加工已无法满足高端产线需求，客户对“材料制备+超精密加工+先进表面处理”一体化综合能力的要求持续提升。具备全流程技术能力的企业，可实现零部件高精度、长寿命、低缺陷的综合性能优势，构建差异化核心竞争力。

    （4）行业验证壁垒高，客户合作粘性强

    半导体设备核心零部件属于高门槛细分领域，新产品需依次通过材料可靠性验证、小批量工艺适配验证、大规模量产稳定性验证等多维度严苛测试，整体导入周期长、认证标准高。下游晶圆厂对供应商准入极为审慎，一旦完成资质认证、实现批量稳定供货，通常不会轻易更换供应商，合作具备极强的长期性与稳定性。高验证壁垒既构筑了较高的行业准入门槛，抵御新进入者冲击，也为已完成客户导入、实现稳定配套的优质企业提供了良好的竞争壁垒与长期成长空间。

    3.显示面板及核心零部件的发展情况

    2026年上半年，全球显示面板市场面临一定需求压力。根据Omdia的显示面板长期需求预测追踪报告，2026年全球显示面板单位需求预计同比下降6%，面积需求增长率从此前预期的6%下调至仅1%。主要原因包括中东地缘政治紧张、供应链成本上升等因素。

    目前，中国大陆已成为全球最大的显示面板生产基地，京东方、TCL华星、惠科股份等中国企业占据全球LCD面板产能超过70%。根据UBIResearch等机构数据，OLED在智能手机市场渗透率已超过50%，并向电视、笔记本电脑、车载显示等领域加速渗透。技术迭代方向呈现从LCD向OLED乃至MicroLED演进的趋势，大尺寸化和高分辨率化持续推进。

    中国面板厂在OLED领域持续投建新产线，以6代AMOLED产线为基础，并向8.6代OLED产线升级，这些产线对真空设备零部件有大量需求。此外，新能源汽车智能化推动车载显示屏需求爆发，成为面板行业新的增长点。

    显示面板制造与半导体制造在工艺上具有诸多相似之处，同样大量使用等离子体刻蚀、薄膜沉积和蒸镀等真空工艺设备，其核心零部件与半导体零部件在材料体系（硅、石英、碳化硅、陶瓷）和表面处理技术上高度相通。公司在两大行业间形成了技术和产品的协同效应。

    （二）公司主营业务、主要产品及服务

    公司专注于半导体及显示面板领域真空腔体精密零部件的研发、生产与销售，并配套提供精密清洗、涂层再生等表面处理服务，构建起关键半导体材料+精密零部件+表面再生服务一体化业务平台。公司产品广泛应用于集成电路前道制造核心工序，覆盖等离子刻蚀（ICP/CCP刻蚀）、薄膜沉积（PVD/CVD）、离子注入等工艺场景，同时配套显示面板各类制程设备；其中等离子刻蚀工艺零部件为公司核心业务板块，产品可适配逻辑芯片、存储芯片及特色工艺各类制程产线。

    公司零部件品类涵盖硅基、石英、碳化硅、氧化铝陶瓷等系列产品，现阶段已实现大直径单晶硅棒、多晶硅棒、化学气相沉积高纯碳化硅超厚基材、陶瓷造粒粉体等上游半导体原材料量产。核心消耗性零部件包括平面/曲面硅上部电极、硅环、碳化硅环、石英气体分配盘、氧化钇涂层陶瓷盖板等，主要承担调控等离子体均匀性、约束反应区域、分配工艺气体等关键功能，零部件材料纯度、加工精度与表面状态直接影响刻蚀图形精度、晶圆良率与制程稳定性。

    刻蚀腔体内零部件长期处于高能等离子体、腐蚀性工艺气体环境，持续承受离子轰击与化学腐蚀，在量产过程中会逐步产生表面损耗、尺寸漂移、颗粒污染等问题，属于具备消耗属性的工艺耗材，下游晶圆厂商需依据生产节奏定期更换或翻新，具备持续、重复采购特征。依托自研表面处理技术，公司可提供精密清洗、阳极氧化、熔射再生、高致密防护涂层等综合服务，开展零部件修复再生业务，充分挖掘耗材全生命周期价值，面向下游客户提供真空腔体多品类零部件整体解决方案。

    目前，公司产品与服务已实现批量供货，覆盖14nm及以下节点先进逻辑芯片制造、堆叠层数200层以上3DNAND闪存、20nm及以下节点DRAM等先进存储芯片制造领域，相关业务能力处于国内领先水平；在显示面板领域，公司实现G10.5-G11超大世代产线、4.5KV-5KV超高压工艺、OLED产线制造设备静电卡盘，以及PVD设备双极静电卡盘等关键零部件国产化配套。

    （三）经营模式

    公司自成立以来，专注于为集成电路及显示面板等客户提供设备真空腔内零部件及表面处理服务，建立了完整高效、相互协同的采购、生产、销售和研发流程。公司以技术创新为驱动力，持续深耕等离子体刻蚀、薄膜沉积等关键环节半导体设备零部件和显示面板等离子刻蚀、薄膜沉积和蒸镀等关键环节显示面板制造设备零部件领域，致力于打造“原材料+零部件+表面处理”一体化业务平台，向客户提供真空腔体内的多品类零部件整体解决方案。

    本报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。

    1、采购模式

    （1）直接采购：公司制定严格的合格供应商准入制度，主要采用以销定采模式，通过询价、比价、议价在合格供应商名录中确定供应商。公司采购部负责日常经营所需物料、耗材及设备的采购。

    （2）外协加工采购：报告期内，公司外协主要包括机加工外协和表面处理外协。当产能不足时，公司将部分产品的机加工和表面处理工序委托外协供应商完成。外协加工占采购总额比例较小，不存在将主要生产环节委外加工的情况。

    （3）成品采购：为满足客户一站式零部件需求，公司在自主生产核心产品的同时，亦向合格供应商采购部分零部件成品，以完善产品组合、提升供应链效率，及时响应客户多样化需求。

    2、生产模式

    公司业务具有“多品种、小批量”特点，主要系设备零部件种类繁多、工艺复杂所致。

    在零部件生产方面，公司主要采取“以销定产”模式，同时根据市场行情适当备货。公司汇总销售需求和备货需求后，由生产部门和销售部门结合库存及产能情况确定产量需求，生产部门据此制定生产计划、排产并跟进进度，确保按期完工。

    针对部分研发试产成功但客户需求尚未放量的产品，或因产能不足、原材料受限等原因，公司采用OEM模式进行生产，后续视情况再自建产能。公司向OEM供应商提供产品图纸及技术参数要求，OEM供应商按采购订单要求进行生产、质检和交货。

    在表面处理业务方面，公司根据客户订单及预计订单安排作业计划，单批次处理零部件数量从几十件到几百件不等，并根据零部件特征和客户需求差异，选择精密清洗、阳极氧化和熔射再生中的一种或多种方式组合处理。

    3、销售模式

    公司下游客户主要为集成电路和显示面板制造企业。公司通过多渠道掌握行业动态和客户需求，借助展会、一对一拜访等形式推介产品与服务。客户对公司资质、实力和经验等多维度考察后，将其纳入供应商名录。产品经客户测试通过后，双方通过价格谈判或电子竞价等方式签订订单并开展合作。

    公司以直销模式为主，直接与集成电路和显示面板制造企业合作。公司在重庆、成都、上海、武汉、北京、深圳、合肥和新加坡等地设有办事处或销售团队，由销售部门面向终端客户签署合同、结算货款，并提供技术支持和售后服务，客户直接向公司询价并下订单。公司依托重庆和湖北两个生产基地，实现对国内主要集成电路和显示面板制造区域的覆盖。

    4、研发模式

    公司以自主研发为主，建立多部门协同配合的自主创新机制，形成科学的研发体系和规范的研发流程。公司积极引进半导体材料、物理化学、微电子、机械等专业人才，开展半导体材料、产品工艺、精密制造及化学表面处理技术等研发，协助客户在现有设备上进行新工艺开发。研发流程主要包括项目立项、执行、验收与结题三个阶段。

    公司市场部门和研发部门通过对集成电路和显示面板领域零部件痛点及工艺演进趋势进行深入调研，结合现有技术水平及下游市场发展趋势，确定研发方向、技术路线和规格参数，开展生产工艺研发。公司及时了解客户诉求，协助其提高生产效率与产品良率，保障客户新技术、新工艺需求的落实。

    5、商业模式

    目前行业内半导体真空腔体零部件企业主要存在两类商业模式：一是终端直接配套模式，零部件企业直接对接集成电路、显示面板制造厂商，作为终端客户一级供应商开展产品销售与技术服务；二是设备厂商间接配套模式，零部件企业作为设备厂商二级供应商，通过配套整机设备间接服务晶圆及面板制造产线。

    在间接配套模式下，零部件企业一般依据设备厂商图纸与技术标准进行定制化研发、加工生产。设备厂商普遍对核心零部件实施定向供货约束，相关产品知识产权多归属设备厂商所有。受限于合作条款，零部件产品仅可定向供应对应设备厂商，无法直接向终端晶圆厂销售，如需面向终端供货通常需取得设备厂商授权。同时，设备厂商针对不同零部件品类通常布局多家OEM供应商，导致间接配套厂商产品结构相对单一、业务延展性较弱。

    此外，对于半导体制造设备，晶圆制造及存储厂商在量产过程中，均会结合自身工艺迭代需求持续优化腔体结构与零部件参数，通过持续改进项目（CIP）提升制程良率与产能利用率。在此工艺迭代过程中，腔体结构优化、零部件性能升级是核心环节。出于保护工艺Know-How、提升迭代响应效率的考量，终端制造厂商更倾向与具备直接配套、独立研发、协同迭代能力的零部件企业开展深度合作。同时，在先进设备进口受限的产业背景下，国内晶圆厂普遍通过升级现有设备零部件体系、优化腔体工艺配置，实现新工艺落地与产能升级。

    公司现阶段以终端直接配套模式为核心、优质设备厂商间接配套为补充，择优与行业具备影响力的设备企业开展合作。该商业模式布局主要基于行业特性与公司战略考量，核心优势如下：

    （1）公司主营的硅、石英、碳化硅、陶瓷类腔体零部件，集中应用于刻蚀、薄膜沉积、蒸镀设备工艺腔体核心区域，属于高频更换的消耗性部件，终端晶圆厂、面板厂为核心需求主体，直供模式更贴合行业需求结构；

    （2）直接面向终端制造客户供货，可有效规避海外设备厂商的供货限制与断供风险，助力客户构建自主可控、安全稳定的供应链体系；

    （3）公司自主掌握材料制备、结构设计、精密加工及表面处理核心技术与知识产权，可深度参与客户工艺迭代与零部件持续改进（CIP），在严守客户工艺技术机密的前提下，为客户提供腔体核心材料与零部件一体化整体解决方案；

    （4）直供模式能够快速响应终端客户差异化、定制化的工艺升级需求，高效配合客户基于存量设备开展新工艺开发、良率优化与产能爬坡，持续提升客户生产效益。

    （四）公司主要业绩驱动因素

    本报告期，公司经营业绩稳步增长，主要受益于半导体刻蚀、薄膜沉积等核心工艺耗材赛道的高景气度、下游晶圆制造产能持续扩张、国产化进程加速，以及公司技术迭代、客户渗透与新品产业化落地的多重驱动。先进制程迭代带来的零部件需求增长具备非线性、高附加值、高频次特征，成为公司中长期业绩增长的核心底层逻辑。

    1、先进制程持续迭代，带动耗材量、频、价三维升级，打开非线性增长空间

    相较于成熟制程，先进制程具备刻蚀工序更多、等离子体功率更高、腔体腐蚀环境更严苛、工艺迭代更快的特征，零部件消耗需求与制程升级呈现显著的非线性增长态势。从核心驱动维度来看：一是耗材搭载数量提升，先进制程芯片结构复杂度大幅提升，刻蚀图形化步骤成倍增加，单晶圆制造所需刻蚀工序远超成熟制程，设备多腔体作业成为主流，单台设备搭载的核心耗材数量显著增长；二是更换频次持续加快，先进制程高能量、强腐蚀的等离子体工况，加速硅、石英、碳化硅等腔体零部件的离子轰击损耗与化学腐蚀老化，零部件使用寿命缩短、更换周期持续压缩，耗材替换需求更为刚性；三是产品单位价值提升，先进制程对原材料纯度、超精密加工精度、表面涂层稳定性、低颗粒污染控制的要求持续升级，倒逼零部件向高精密、高耐蚀、高稳定性方向迭代，产品技术壁垒与附加值显著高于成熟制程产品，单套耗材价值量持续提升。同时，下游晶圆厂新增先进制程产线扩产、存量成熟产线工艺升级改造同步推进，形成新增设备配套、存量耗材替换的双重增量市场，为公司消耗性零部件业务提供持续增长动力。

    2、下游赛道空间广阔，晶圆产能扩张筑牢主业增长基本盘

    公司聚焦硅、石英、碳化硅、功能陶瓷等半导体真空腔体消耗性零部件优质赛道，行业长期成长空间充足。未来三至五年，国内逻辑、存储、特色工艺晶圆制造产能将持续扩容，下游头部晶圆制造、存储制造厂商持续加大资本开支，先进制程与特色工艺双线扩张，带动刻蚀、薄膜沉积核心设备装机量稳步提升，对应核心消耗性零部件市场规模持续扩容。下游行业高景气度为公司核心主业的持续稳健增长提供了坚实的市场基础与产能需求支撑。

    3、国产化替代持续深化，客户渗透率与市场份额稳步提升

    在半导体产业链自主可控的行业背景下，国内半导体配套供应链体系持续完善，核心设备零部件国产化替代进程持续提速。公司凭借一体化材料研发、精密加工与表面处理服务能力，依托稳定的产品品质、成熟的工艺适配经验与深度绑定的客户合作体系，持续提升核心零部件产品的市场渗透率与终端供应份额，进一步巩固细分领域竞争优势。同时，受全球产业格局与供应链安全需求影响，国内外资晶圆制造基地供应链本土化、备份化趋势明显，海力士（大连）、台积电（南京）等外资晶圆厂持续推进本土供应链培育与导入，为公司带来全新的市场增量空间，进一步打开公司终端客户覆盖边界。

    4、前沿产品持续产业化，丰富产品矩阵，培育新增业绩曲线

    公司坚持技术创新与产品迭代并行，在巩固传统硅、石英、碳化硅、陶瓷零部件主业优势的同时，持续布局高端前沿产品领域。公司重点研发的静电卡盘、氮化铝陶瓷加热器、高致密涂层与碳化硅气体分配盘等高端零部件及表面处理技术，持续推进工艺验证、客户导入与产业化落地。

    二、经营情况的讨论与分析

    2026年上半年，公司持续深化“以客户为中心、以创新为动力”的核心战略，秉持“成为中国领先、世界一流的半导体部件解决方案智造者”的愿景，依托“原材料+零部件+表面处理”一体化业务平台，扎实推进技术研发、产品验证、客户拓展与产能建设，积极把握半导体产业链自主可控的行业机遇，稳步落实各项经营规划。

    2026年上半年，全球半导体产业处于结构性复苏阶段，AI算力需求持续拉动存储、先进逻辑芯片需求扩张，但行业仍持续受到复杂地缘政治环境的扰动。美国国会推进MATCH法案立法进程，拟推动盟国协同收紧半导体制造设备及配套供应链的出口管制，进一步倒逼国内晶圆制造产业链加快供应链本土化与多元化备份布局。与此同时，受益于算力芯片需求爆发，全球头部存储厂商资本开支计划上调，国内重点存储制造企业持续推进上市进程，融资落地后有望开启新一轮产能扩张规划；国内逻辑、存储及特色工艺晶圆厂亦持续推进先进产线建设与存量产线升级改造。下游需求扩张叠加供应链安全诉求提升，为半导体真空腔体消耗性零部件国产份额提升创造了广阔的市场空间。但同时，晶圆制造产线建设周期较长，从土建、洁净室搭建、设备搬入到产能爬坡需经历较长周期，下游资本开支向日常运行所消耗的零部件订单传导存在一定时滞，行业需求释放呈现结构性、渐进式特征。

    报告期内，公司经营稳步推进，核心客户合作黏性持续增强；本期实现营业收入48,352.85万元，同比增长31.98%；实现归属于母公司所有者的净利润10,711.43万元，同比增长25.74%。公司持续聚焦等离子刻蚀、薄膜沉积设备核心消耗零部件主业，稳步推进新产品验证、工艺迭代与高端技术产业化，产品结构持续优化，高附加值产品收入占比稳步提升。

    （一）产品研发迭代与市场拓展情况

    1、高致密先进涂层业务持续产业化落地

    公司依托“原材料+零部件+表面处理”一体化核心平台，将耐等离子先进涂层业务作为零部件高附加值延伸的核心赛道重点布局，业务覆盖半导体刻蚀、薄膜沉积真空腔体零部件的表面涂层制备需求，构建了全层级、多品类的涂层工艺体系，可适配成熟制程至先进制程的全场景工艺要求。

    半导体零部件涂层技术可划分为三大层级：第一类为基础机械与化学处理工艺，包括抛光、喷砂、精密研磨、阳极氧化等，主要用于零部件基底平整化、表面粗糙度优化与基础防腐改性；第二类为常规热喷涂工艺，以APS大气等离子熔射、电弧铝熔射为代表，沉积效率高、涂层厚度可控，可快速制备氧化钇、氧化铝等防护涂层，有效抵御等离子腐蚀，亦是目前行业应用最广泛的涂层工艺；第三类为高致密涂层工艺，涵盖AD、PVD、CVD及ALD等沉积技术，可满足高端零部件高精度、低颗粒、高耐蚀的严苛要求，主要应用于14nm及以下先进逻辑制程及高堆叠先进存储制程的核心零部件防护。

    公司是行业内少数全面布局多类型涂层工艺的企业，业务体系覆盖基底精密机械处理、阳极氧化等化学处理、等离子热喷涂及高致密涂层制备全链条工艺，覆盖Y2O3、Al2O3、YOF及YAG等主流涂层材料体系，能够根据不同制程、不同工艺场景定制涂层方案，有效提升零部件抗氟氯等离子腐蚀能力，降低腔体颗粒缺陷、延长耗材使用寿命。目前，公司高致密涂层技术已实现商业化销售，依托自有陶瓷烧结基底开展涂层加工，打通“陶瓷造粒+成型工艺+烧结工艺+高致密涂层”一体化路径，涂层孔隙率、结合强度、刻蚀速率等关键性能参数达到国际先进水平，多款产品持续在多家重点客户端开展工艺验证。

    2、碳化硅零部件业务快速增长

    碳化硅零部件为公司重点布局的高端业务增长板块，公司打通自产CVD-SiC原材料制备、超硬碳化硅精密加工、先进表面处理一体化全链条技术能力，已具备SolidSiC大批量订单持续稳定交付能力。报告期内，公司碳化硅零部件销售收入快速增长，持续导入先进制程刻蚀设备真空腔体，相关客户订单实现稳步增长。

    在固态碳化硅（SolidSiC）研发与产业化方面，公司实现高纯CVD-SiC气相沉积成套工艺技术突破。通过前驱体组分精细化调控、沉积腔体热场重构优化、沉积压力与温度体系协同管控，建成稳定量产产线；制备基材综合性能优异，纯度、密度及热导率达国内领先水平，可根据下游工艺工况定制不同电阻率、不同厚度规格产品，适配先进半导体设备多元化零部件应用需求。针对等离子腔体SiC气体分配盘（ShowerHead）核心零部件应用场景，公司攻克专属沉积工艺，实现低透光固态SiC基材规模化量产，为高端刻蚀设备进气关键部件提供国产化材料解决方案。

    3、硅、石英零部件持续迭代夯实基本盘

    硅、石英零部件作为公司基石业务，持续开展料号系列化迭代开发。公司紧密配合下游客户持续改进项目（CIP），根据客户工艺升级需求持续开发新料号，同步优化现有产品纯度、尺寸精度及表面品质，持续巩固在刻蚀腔体核心耗材领域的供应份额，保障存量业务稳定贡献收入。本报告期内，公司硅、石英零部件销售收入同比增长46%。

    4、客户拓展有序推进

    报告期内，公司持续践行以终端直接配套为主、设备厂商合作为补充的业务发展模式。存量头部客户方面，公司已基本覆盖国内主流晶圆制造厂商及存储IDM厂商，持续深化多层次业务协同，加快新产品导入节奏，不断丰富零部件供应品类，提高单客户供应份额，深度挖掘存量客户业务价值。得益于前期产品送样验证落地、海外供应链交付周期拉长带来订单回流，部分半导体客户业务规模实现较快同比增长。新增客户开拓层面，公司在部分新建晶圆代工项目认证工作顺利推进，已逐步实现量产供货；紧跟存量客户新建产线配套需求，于多家战略级先进制程客户取得业务突破，半导体零部件及表面处理业务完成验证导入，相关业务同比增幅显著。设备端客户拓展取得实质性进展，公司顺利进入国内头部设备厂商供应链，半导体零部件产品实现批量交付，对应业务收入同比大幅提升；同时在先进封装领域完成关键技术与客户突破，后续随着晶圆级封装、测试产业规模持续扩张，有望为公司培育新的收入增长极。此外，公司积极响应外资晶圆制造基地供应链本土化诉求，有序推进海力士（大连）、台积电（南京）等重点客户的认证导入工作，进一步拓宽整体客户覆盖边界。

    （二）生产及研发基地建设有序推进

    截至本报告出具日，公司对相关募投项目前期建设工作已先行开展，三期生产基地项目A厂区已正式投入使用；三期生产基地项目B厂区建设稳步推进，预计2026年下半年部分投入使用，建成后将进一步扩充精密零部件加工与表面处理产能。同时，公司已于2026年7月30日取得武汉东湖新技术开发区工DK（2026-04）04号地块，计划于2026年下半年正式启动武汉研发生产基地建设，具体内容详见公司于2026年8月8日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的《关于使用部分超募资金投资建设新项目的公告》（公告编号：2026-007）。武汉基地建成后将就近服务华中区域晶圆制造客户及存储IDM客户，缩短交付周期，提升客户工艺迭代及零部件CIP改良的响应效率。

    公司所有产能规划均结合下游半导体行业景气度、客户扩产节奏、自身产能建设进度及研发产业化落地进度综合审慎制定。半导体晶圆制造产能扩张具有行业规律，下游晶圆、存储厂商扩产周期较长，需依次经历厂区土建、洁净车间装修、设备搬入、调试、小批量试产及产能爬坡等多个阶段，土地招拍挂及环评公示是观察下游扩产落地的核心先行指标。公司产能建设始终坚持以客户需求为导向，紧密跟进国内主流晶圆代工厂及存储制造厂商扩产进度，匹配客户产能落地节奏配套建设零部件产线，力求实现产能与下游需求的高效匹配。

    （三）营运管理持续优化，推进精益化、智能化生产

    报告期内，公司持续推行精益生产管理体系，不断优化生产流程、提升良率、控制制造损耗；持续推进产线自动化与智能化改造，逐步引入自动化加工设备、智能检测设备及数字化生产管理系统，提升精密加工一致性与生产交付效率；完善供应链管理体系，稳定上游关键原材料供应；强化研发项目全流程管控，缩短新产品从研发、试样到批量供货的导入周期；持续完善人才梯队建设，夯实研发、生产、销售核心团队能力，为中长期业务扩张提供有力支撑。

    （四）资本运作实现重大突破，登陆科创板开启发展新征程

    2026年6月24日，公司成功于上海证券交易所科创板挂牌上市，顺利完成首次公开发行。本次上市是公司发展历程中的重要里程碑：一方面，成功登陆资本市场打通了直接融资渠道，资本实力显著增强，为募投项目建设、前沿技术研发攻关及产能有序扩张提供充足的资金保障；另一方面，上市带来的市场影响力跃升，有助于公司吸引高端人才、深化与产业链核心客户的战略合作。

    本次募集资金扣除发行费用后，主要投向半导体及泛半导体精密零部件及材料生产基地项目、臻宝科技研发中心建设项目、上海臻宝半导体装备零部件研发中心项目及半导体零部件研发生产基地项目（超募项目）。项目建成后，公司将扩大硅、石英、碳化硅、氧化铝陶瓷等核心零部件产能，加速上游关键半导体材料、静电卡盘、氮化铝陶瓷加热器、高致密耐蚀涂层等新产品研发与产业化落地，持续完善“原材料+零部件+表面处理”一体化业务平台。产能规模与技术能力的双轮提升，不仅支撑公司自身业务持续扩张，更能够增强面向国内晶圆制造厂商的批量稳定供货能力，保障下游产线耗材持续供应，助力国内半导体真空腔体零部件供应链自主可控。

    公司将严格遵守募集资金管理相关制度，规范、高效使用募集资金，保障募投项目顺利实施，持续夯实公司核心竞争力。

    三、核心技术与研发进展

    1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    公司长期深耕半导体与显示面板设备真空腔体核心零部件领域，持续聚焦硬脆材料基材制备、超精密成型加工、先进表面处理三大核心技术方向，经过长期自主研发与工艺迭代，形成全链条自主可控、多材料体系兼容、制程全覆盖的核心技术壁垒。公司是国内极少数同时掌握半导体关键原材料自研自产、多品类精密零部件超精密制造、多级表面处理及高端致密涂层产业化的企业，核心技术指标、工艺稳定性、产品适配性均达到国内领先、国际可比水平，有力支撑公司产品在先进逻辑、高堆叠存储及高端显示面板产线的规模化落地。

    （1）多品类半导体关键原材料自主制备技术，构建底层供应链与定制化壁垒

    公司突破国外技术垄断，实现单晶硅、多晶硅、CVD-SiC、陶瓷粉体、陶瓷坯体等核心基材全流程自研自产，从源头保障零部件纯度、一致性与定制化能力，形成区别于纯加工类零部件厂商的技术优势。原材料自研能力使公司可快速匹配客户新工艺迭代的基材升级需求，实现材料端、结构端、性能端同步协同开发。

    （2）多材质超精密加工技术，攻克硬脆材料高难度制程加工瓶颈

    针对硅、石英、碳化硅、陶瓷、工程塑料等多种难加工硬脆材料，公司搭建了兼容多结构、高精度、高洁净的超精密制造工艺体系，解决了半导体腔体零部件异形结构、微孔深孔、大尺寸平面、复杂曲面加工的行业难题，加工精度、良品率、稳定性处于行业领先水平。多材料、高精密、高良率的加工能力，使公司具备真空腔体全品类零部件一站式制造能力，可高效响应客户定制化、迭代式开发需求。

    （3）多级表面处理技术体系，覆盖基础改良至先进制程高端致密涂层

    公司构建了行业稀缺的全层级、梯度化、全覆盖表面处理技术矩阵，涵盖精密机械平坦化、化学改性、阳极氧化、大气等离子喷涂、高端高致密涂层等技术层级，可分别适配成熟制程、先进制程及特色工艺不同腐蚀与等离子工况，实现零部件寿命提升、纳米级颗粒污染物控制、良率优化的多重工艺价值。面向14nm及以下先进制程，公司持续落地气溶胶沉积、离子辅助沉积等高致密涂层技术，进一步降低涂层孔隙与缺陷，强化耐高能离子轰击及氟氯腐蚀能力，形成适配先进制程迭代的高端表面防护技术体系。

    （4）工艺协同迭代技术优势，实现材料+部件+涂层一体化迭代升级

    区别于行业单一加工、单一涂层企业，公司依托一体化平台优势，可实现原材料配方迭代、零部件结构优化、表面涂层制备升级三位一体同步研发。针对先进制程等离子功率提升、腐蚀环境加剧、工艺步骤增多的行业趋势，公司可从基材纯度、电阻率、致密度，零部件结构尺寸、形貌精度，涂层致密度、耐蚀性、结合力多维度同步优化，匹配客户CIP持续改进与新工艺前置验证需求。该协同技术能力使公司可深度绑定头部晶圆厂、面板厂，前置参与先进制程零部件开发迭代，持续实现新品导入、技术迭代与份额提升，构筑长期、深厚、难以复制的技术竞争壁垒。

    四、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司经营业绩实现稳健增长，核心财务指标表现良好。经营成果方面，公司实现营业收入48352.85万元，较上年同期增长31.98%；实现归属于母公司股东的净利润10711.43万元，较上年同期增长25.74%，利润增速略低于营收增速，主要系报告期内公司加大研发投入、市场拓展及上市相关配套投入，整体期间费用率有所抬升所致。本期公司综合毛利率为46.73%，较上年同期的48.47%小幅波动，主要系产品结构与原材料成本变动综合影响；研发投入力度持续加大，本期研发费用4373.03万元，研发费用率达9.04%，较上年同期的7.23%提升1.81个百分点，重点保障静电吸盘、高致密涂层及氮化铝陶瓷加热器等核心研发项目的攻关推进。

    财务结构与偿债能力方面，公司于2026年6月完成科创板上市，资本实力大幅增强，截至2026年6月30日，公司资产总额334404.86万元，较上年末增长106.59%；货币资金余额173851.81万元，较上年末大幅增长，流动资产合计255039.40万元，较上年末增长191.46%。公司负债规模整体保持平稳，期末负债合计41762.46万元，资产负债率仅12.49%，较上年末的25.23%下降12.74个百分点，处于较低水平。期末流动比率达10.45，速动比率达9.66，较上年末均实现大幅提升，短期偿债能力显著增强，财务结构整体稳健。

    运营能力方面，公司业务规模扩张与资产周转节奏基本匹配。本期应收账款周转率为1.65次（半年），存货周转率为1.33次（半年），周转效率保持在与行业经营特征相适配的合理区间；受上市后净资产规模大幅增厚影响，本期加权平均净资产收益率（ROE）为8.46%。整体来看，公司本期经营效益稳步提升，资本实力与抗风险能力显著增强，为后续产能建设、研发投入与业务拓展奠定了坚实的财务基础。

本文数据来源于臻宝科技2026年中报，仅供参考不构成投资建议。