C长鑫获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示C长鑫（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备”，专利申请号为CN202610525311.2，授权日为2026年7月31日。

专利摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备，其中，制备方法包括：形成第一电极层；形成介质层，介质层覆盖第一电极层的至少部分表面；形成第二电极层，第二电极层覆盖介质层的表面；其中，制备方法还包括：在形成介质层之前和/或形成介质层之后，形成过渡层，过渡层位于第一电极层与第二电极层中的至少一者与介质层之间；形成过渡层包括：形成过渡材料层，过渡材料层的材料包括金属氧化物半导体材料；对过渡材料层执行热退火工艺，以形成过渡层，其中，经过热退火工艺之后，过渡材料层的材料的电导率升高。

今年以来C长鑫新获得专利授权18个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息408条，专利信息709条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。

数据来源：天眼查APP

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