扬杰科技获得发明专利授权：“集成PN结和肖特基结的平面栅MOSFET及制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“集成PN结和肖特基结的平面栅MOSFET及制备方法”，专利申请号为CN202411023043.1，授权日为2026年6月30日。

专利摘要：集成PN结和肖特基结的平面栅MOSFET及制备方法。涉半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片内制备若干间隔的P体区，在P体区内制备N+区，在N+区内制备若干间隔的P沟道区；步骤S200，在外延片上制备栅介质，并在P沟道区上方的栅介质上制备若干间隔设置的多晶硅；步骤S300，在外延片上沉积隔离层，开窗制备穿过N+区，并伸入P体区内的源极沟槽；步骤S400，在源极沟槽底部制备N区，N区和外延片N型耐压区连接；步骤S500，在N区顶面制备肖特基接触金属，与N区形成肖特基接触，肖特基接触金属上表面低于N+区下表面；本发明制备的增强体二极管续流能力的平面栅MOSFET及其制备方法，具备更优异的性能优势和工艺优势。

今年以来扬杰科技新获得专利授权13个，较去年同期减少了78.69%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了4.71亿元，同比增11.24%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目329次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息795条，著作权信息5条；此外企业还拥有行政许可247个。

数据来源：天眼查APP

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