东微半导获得发明专利授权：“半导体二极管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体二极管”，专利申请号为CN202111611956.1，授权日为2026年4月3日。

专利摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体二极管，包括n型半导体层；位于所述n型半导体层之上的阳极金属层；位于所述n型半导体层内的若干个交替间隔设置的n型柱和p型柱；位于所述p型柱顶部的p型体区；低载流子区，所述低载流子区内的所述p型体区与所述阳极金属层形成p型肖特基二极管；高载流子区，所述高载流子区内的所述p型体区内设有p型接触区，所述p型接触区与所述阳极金属层形成欧姆接触。

今年以来东微半导新获得专利授权3个，较去年同期增加了200%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了4223.04万元，同比增8.89%。

通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目15次；财产线索方面有商标信息31条，专利信息153条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可9个。

数据来源：天眼查APP

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