芯导科技（688230）2025年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期芯导科技（688230）发布2025年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）所属行业情况

    1、行业发展情况

    公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。

    2025年上半年，全球半导体市场呈现复苏态势，根据SIA数据，2025Q1全球半导体行业销售额为1,677亿美元，同比增长18.8%，环比下降2.8%；2025年5月全球半导体销售额为590亿美元，同比增长19.8%，环比增长3.5%。此外，WSTS预测，2025年全球半导体市场规模预计将突破7,009亿美元，同比增长11.2%，预计2026年继续增长8.5%。

    由于地缘动荡、宏观经济挑战等多重压力，全球半导体下游需求呈现结构性特征，消费类需求占比较高。

    （1）智能手机方面：IDC数据显示，2025年第二季度全球智能手机出货量同比增长1.0%，达到2.952亿部，已连续8个季度保持增长，创下2013年以来的最长增长周期。在中国市场，2025年第二季度智能手机出货量为6,896万部，同比下滑4.0%，结束了连续六个季度的增长态势。

    （2）腕戴设备方面：IDC数据显示，2025年一季度全球腕戴设备（包括智能手表、智能手环）市场出货4557万台，同比增长10.5%。中国腕戴设备市场2025年一季度出货量为1762万台，同比增长37.6%。

    （3）智能眼镜方面：IDC数据显示，2025年第一季度，中国智能眼镜市场出货量为49.4万台，同比增长116.1%。据IDC预测，2025年中国智能眼镜市场出货量将达到290.7万台，同比增长121.1%。

    面对美国及其盟国对中国在半导体生产设备、设计软件及相关原材料方面实施的一系列管制措施，实现中国集成电路产业的自主可控的目标变得尤为迫切。在这种复杂的外部环境下，国产替代进口的需求空间巨大。近年来，我国在半导体功率器件领域加大了研发投入，积极推动技术创新，通过自主研发和引进先进技术，我国在MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上取得了重要突破，与国际先进水平的差距在不断缩小。

    根据Omdia预测，2024年全球功率器件（含SiC）规模为530.6亿美元，2020-2024年复合增长率为3.55%。随着第三代半导体材料加速渗透，预计2024-2029年间，全球功率器件有望维持8.43%的年复合增长率。

    目前，公司产品主要包括功率器件和功率IC,功率器件产品主要为TVS（包括ESD保护器件）、MOSFET、肖特基等；功率IC产品主要为电源管理IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子、光伏储能等领域拓展。

    2、行业地位

    公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。

    公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术水平及市场竞争力，具有国内领先水平。一种GaNHEMT器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得GaNHEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已经正式发布具有自主专利技术的GaNHEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。IGBT通用沟槽栅技术优化了载流子浓度和传输路径，减少了导通损耗和开关损耗，提升了产品使用效率；IGBT精细沟槽栅技术实现了芯片的通流能力和闩锁能力的提升，同时进一步降低了正向导通压降及损耗，芯片面积和性能得到了折中，适合在新能源系统上应用。

    公司的功率器件及功率IC产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（TI）、安森美（ONSemiconductor）、商升特半导体（SemtechCorporation）等国外半导体厂商占据，国产化替代空间巨大。随着公司产品不断向汽车电子、光伏储能及人工智能等领域拓展，公司产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。

    （二）主营业务情况

    1、主要业务与产品

    公司主营业务为功率半导体的研发与销售，公司功率半导体产品包括功率器件和功率IC两大类，公司产品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。

    （1）功率器件

    公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaNHEMT）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、碳化硅（SiC）等。其中，公司的TVS产品主要为ESD保护器件。

    （2）功率IC

    公司的功率IC产品主要为电源管理IC,具体包括负载开关芯片、线性充电芯片、单节锂电池充电芯片、过压保护芯片、音频功率放大器、DC-DC类电源转换芯片、氮化镓驱动IC等。

    2、主要经营模式

    公司自设立以来一直采用Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在Fabless模式下，公司专注于功率半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，由外协厂商负责生产。

    （1）产品研发模式

    公司采用Fabless经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。

    （2）采购与生产模式

    公司采用集成电路行业典型的Fabless经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。

    （3）销售模式

    根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。

    二、经营情况的讨论与分析

    公司始终秉承“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”的使命，凭借优秀的研发团队及其强大的研发能力，通过不断的技术积累和沉淀，拥有搭建功率半导体技术平台的能力，并在此基础上对产品不断进行更新迭代。

    目前，公司在各类细分产品及应用领域的技术平台开发上取得了显著成果。针对TVS产品，已陆续开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；针对MOSFET产品，先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；对于肖特基产品，已开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；针对第三代半导体GaNHEMT产品，公司开发了高压P-GaNHEMT技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。在IC产品方面，公司的技术平台涵盖了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台、负载开关技术平台。公司紧跟客户需求的变化与技术的进步，在现有技术平台的基础上不断推陈出新、迭代升级，持续推出新一代产品以满足市场需求。

    （一）报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入18,242.92万元，较上年同期增长17.09%；实现利润总额5,444.53万元，较上年同期减少3.90%；实现归属于上市公司所有者的净利润5,019.91万元，较上年同期减少3.86%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润2,991.46万元，较上年同期增加20.18%。

    报告期末，公司总资产228,027.90万元，较上年末减少2.05%；归属于上市公司股东的所有者权益222,209.68万元，较上年末减少1.86%。

    （二）报告期内重点任务完成情况

    1、稳步推进研发创新，提升核心竞争力

    作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。

    （1）功率器件研发方面：

    1在TVS产品方面：

    A.公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力的5V12VESD产品已经在多个大客户实现量产出货，与此同时该系列新增的20VESD产品已经在客户的预研项目中进行验证。此系列产品目前进行技术迭代，新一代的5VBi具有更低电容性能的产品工程批已经下线，目前安排验证中，通过后将正式发布。

    B.具有0.15pF极低容值的SCRESD产品，目前已经形成性能高、低搭配的两个细分系列产品，产品覆盖了5-30V工作电压，目前该系列产品已经在大客户量产出货，并且在众多行业客户中，安排测试和验证。用于HDMI2.1以上接口的多路极低容值SCRESD保护产品已经在PC客户量产出货，同时，在开发具有小于0.3pF的单向产品也已经在开发中，工程批验证完成后，将使产品的阵容更加齐全。

    C.公司通过技术迭代，实现了具有超低钳位电压、超大泄放电流的TVS系列产品的性价比提升，并已经实现了量产出货。同时针对大客户的具体应用需求，为该系列补充了突出正向浪涌保护能力和负向保护能力的高性价比产品，目前正安排客户送样测试和验证。

    2在MOSFET产品方面：

    A.针对各领域客户的一些特定参数要求，公司对中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET产品进行不断的更新迭代，产品阵容日渐丰富，包含100-150V的PMOS产品、100-150V的SGTMOS产品以及具有更高性价比、更高性能的中压SGTMOS产品等。这些产品目前都处于开发阶段，工程批完成后，将与终端客户一同验证产品性能。

    B.低压具有超低导通阻抗和超低栅极电荷的MOSFET产品，针对移动电源H桥应用，开发了具有高效率的SGTMOSFET系列产品，同时采用更加先进的生产工艺，提升产品的单位晶胞密度，在更小尺寸的芯片上实现更高的性能，目前已经为客户提供工程样品进行验证。此外在消费类产品的OVPOTP应用中，不断扩大产品阵容，产品涵盖了目前市场所有品牌产品设计需求的参数规格，继续保持低压超低导通阻抗和超低栅极电荷的MOSFET产品优势。基于公司的低压TrenchMOSFET技术平台，目前开发具有超小尺寸的WLCSP封装MOSFET产品，将在消费类产品的快充通道及锂电池保护管理等应用中获得广泛的机会。

    3在肖特基产品方面：

    目前具有超小封装尺寸，超低正向导通压降的超低容值肖特基产品，部分已经在客户终端验证，同时还在不断完善该系列的产品阵容。

    4在GaNHEMT产品方面：

    公司650VGaNHEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，650VCascode结构GaNHEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系列产品。中低压GaNHEMT产品（40V~150V）有序开发中，其中具有代表性的40V双向GaN产品已在客户端实现量产出货。5在IGBT产品方面：

    公司650V/1200V100A以下小电流产品形成系列化；1200V100A以上大电流产品持续开发过程，1200V200A芯片已定型，1700V200A客户认定中，1200V100A/150A、1700V150A等系列化产品陆续进行流片产出。

    6在SiC产品方面：

    公司SiC产品，包含SiCSBD系列和SiCMOSFET系列。SiCSBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650VSBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700VSBD产品陆续产出。SiCMOSFET系列包含650V/1200V/1700V电压档，正在有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域均有客户验证测试中。

    （2）功率IC研发方面：

    ①在过流过压保护类IC产品方面：

    A．带反接保护的30V/115mΩ规格产品，通过了多家终端产品的应用验证，已经开始批量出货。

    B．超低成本OVPIC完成MPW验证和市场调研，准备正式生产流片。

    ②在线性充电类IC产品方面：

    A．低成本0.6A线性充电IC验证通过，开始在客户端送样测试。

    B．低成本1A线性充电IC验证通过，开始在客户端送样测试。

    ③在开关充电IC产品方面：

    A.3A大电流（带协议、带路径管理）开关充电产品开始批量出货。

    B.双节/多节锂电池充电IC已完成设计，准备MPW流片验证。

    C.低成本2A开关充电产品已完成设计，准备MPW流片验证。

    2、深化品牌建设，巩固合作伙伴关系

    公司始终以客户需求作为第一需求，积极参加行业展会、论坛，及时掌握行业动态及客户需求，促进与合作伙伴的交流合作，进一步加强品牌宣传力度，提升公司知名度。提高产品质量，提升服务水平，为客户提供更丰富的产品和更优质的服务，赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长，维护公司品牌形象。报告期内，公司完成了如下工作：

    （1）公司2025（春季）产品推介会暨合作伙伴大会在公司上海总部圆满举行，此次大会汇聚了近百位行业专家与长期合作伙伴，共谋机遇，携手展望未来蓝图，探索聚力同“芯”，迎风而上的道路。

    （2）公司参加了2025（春季）亚洲充电展，展出了高质量及高性价比TrenchMOS、SGTMOS、SJMOS、GaNHEMT、GaNIC、SiCSBD、ESD等产品在PD电源、移动电源、无线充电、工业电源、服务器电源等设备中的应用。

    （3）公司参加了NEPCONChina2025中国国际电子生产设备暨微电子工业展览会，与合作伙伴携手亮相人形机器人拆解展区，带来人形机器人关节电机、关节编码器、灵活指编码器等MOSFET产品与应用方案推荐。

    （4）公司参加了2025世界移动通信大会（上海），重点展出智能终端、工业物联网、智慧能源、车联网等应用场景中的功率半导体优势产品及重点解决方案。公司长期深耕移动通讯重点应用，为高精度、高频率的5G、4G、蓝牙、Wifi等信号线传输需求，提供小封装、高可靠的半导体产品。

    （5）公司凭借卓越的产品品质、出色的服务态度和高效的交付能力，荣获传音控股颁发的“2024优秀供应商奖”、荣获AI智能解决方案商微克科技颁发的“年度战略合作伙伴奖”，这些殊荣不仅是对过去双方紧密合作的肯定，更是对未来广阔发展前景的期许。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    1、技术和研发优势

    公司作为功率半导体设计企业，拥有完善的技术创新体系、强大的研发能力和一定的技术优势。经过多年的技术积累，凭借公司强大的研发投入及优秀的研发团队，已经自主研发一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节占空比的环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术、一种GaNHEMT器件制备技术、IGBT通用沟槽栅技术、IGBT精细沟槽栅技术等。该等核心技术使得公司芯片产品及应用方案在性能、尺寸、功耗、兼容性等方面较为先进。

    得益于国内FAB厂的技术沉淀与发展，结合国内设计公司的设计优势，目前部分国产功率器件的性能基本与国际大厂相当；公司的部分TVS、MOSFET等功率器件产品在技术上处于国内前列，与国际大厂的技术相当。

    在功率IC产品方面，公司在快充领域深耕多年，已有多个成熟量产的产品线，覆盖了PSC、PB、PLC系列。针对市场上激烈的价格竞争，公司不断推进产品的更新迭代，持续实现充电和OVP产品的成本优化和性能优化。公司还在不断扩充充电产品线，完成了同步/异步双节和多节升压开关充电IC的设计。

    2、新产品开发优势

    在功率半导体新产品开发方面，公司高度注重客户的需求及意见反馈，在新产品开发设计方面具有一定的优势。受益于国产替代，公司凭借较好的技术储备和一定的研发优势，结合下游客户需求及行业发展趋势，对现有产品不断进行更新迭代，为后续销售收入的增长打下了良好的基础。

    3、产品供应优势

    近年来，公司基于在功率半导体领域已有的研发优势和下游客户资源优势，不断丰富和优化产品类别，进一步优化供应商管理，完善产品供应体系，公司的产品供应能力得到了较高的提升。公司合作的晶圆、封测等主要厂商大多为行业内知名厂商，产品供应得到有效的保证。

    4、终端客户优势

    半导体行业上下游产业链之间具有高度的粘性，下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求，一旦对选用的半导体产品经过测试、认证并大规模使用之后不会轻易更换供应商。终端客户与供应商建立合作前，会对供应商的整体资质进行评价，从供应商的整体规模、产品结构、现有客户结构多维度了解相关情况，并由专人进行现场审核，审核通过后，方可进入终端厂商的合格供应商体系；待双方合作关系建立后，终端客户在供应商产品进入批量供应前通常需要对产品进行认证，认证流程主要包括：样品性能测试、整机性能测试、综合可靠性测试、小批量试产评估等。由于终端客户的认证体系复杂且认证周期较长，一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大。

    公司一直注重客户需求，高度重视产品质量管理和客户关系维护，通过快速的客户服务和高效的客户反馈响应机制，既保证快速满足客户需求又能够紧跟市场变化，确保公司产品持续更新、保持先进水平。凭借自身较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的服务，公司产品成功应用于下游行业内小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等ODM客户。

    5、品牌优势

    公司各类产品广泛应用于小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等ODM客户。多年来，公司在行业中积累了良好的口碑，形成了一定的品牌优势，公司产品的客户认知度和忠诚度均较高，公司品牌获得了客户和经销商的认可。随着公司业务的增长，公司将进一步提升公司品牌优势，与业绩增长形成良性循环。

    6、营销及服务网络优势

    公司总部位于上海张江高科技园区，全资子公司设立在无锡经济开发区，以国内销售为主，拥有本土优势和营销网络优势，具备丰富的客户资源和较高的品牌知名度。公司通过“经销+直销”的方式建设营销网络，可快速响应客户需求。为贴近客户并提供专业服务，公司在上海和深圳建立了技术服务中心，配套专业测试设备，为客户提供“一站式”技术支持，不但增进了客户满意度，与客户建立起紧密而稳定的合作关系，同时提升了品牌知名度，提高了市场竞争力。

    (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。

    在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；MOSFET的沟槽优化技术实现了MOSFET产品的低导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗；IGBT通用沟槽栅技术优化了载流子浓度和传输路径，减少了导通损耗和开关损耗，提升了产品使用效率；IGBT精细沟槽栅技术实现了芯片的通流能力和闩锁能力的提升，同时进一步降低了正向导通压降及损耗，芯片面积和性能得到了折中，适合在新能源系统上应用。

    报告期内，公司不断丰富产品阵容，在TVS、MOSFET、肖特基、GaNHEMT、IGBT等产品方面持续保持研发动力，使产品更加齐全、性能不断优化。

    在功率IC方面：可连续调节占空比的环路控制技术使功率IC产品更快速响应负载变化，可调输出电压范围更大；一种复合DC-DC电路技术不需要额外补偿电路，可以使功率1C产品具有负载响应快、精度高的优点；一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置，即可完成负载大小的识别，实现简单且高效。通过衬底控制实现反向电流控制保护，有效解决系统多路电源复用安全控制问题。开发了一种保护类IC技术，可以在提供一定浪涌防护能力的情形下，将安全等级进一步提高，在更大的浪涌或者超高压冲击下，彻底断开输入电源连接。一种高精度浪涌保护电路可以实现高精度、无回退的浪涌钳位功能，同时将TVS与防烧MOS的功能集成到一个IC产品中，可以大大节省占位面积；一种恒功率PWM控制电路可以高精度、恒定输出功率。

    报告期内，公司不断完善产品的系列化，丰富产品类型，同时推动产品的更新迭代。

    四、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入18242.92万元，较上年同期增加17.09%；实现利润总额5444.53万元，较上年同期减少3.90%；实现归属于上市公司所有者的净利润5019.91万元，较上年同期减少3.86%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润2991.46万元，较上年同期增加20.18%。

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