晶合集成获得发明专利授权：“嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法”，专利申请号为CN202510631461.7，授权日为2025年8月12日。

专利摘要：本发明公开了一种嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法，属于半导体领域，本发明通过改变阻变存储单元的电极板方位，将电极板的板面方向以垂直于半导体衬底面板方向嵌入到其中一层金属层中，然后在两个电极板之间插入阻变层制得阻变存储单元，并以此作为基础制备阻变存储器；改变了现有技术中阻变存储单元的电极板分布方位，意想不到的是：避免了现有技术中插入阻变存储单元后导致两个金属互联层之间现有工艺制程被改变而需重新研发的情况，可以兼容现有技术中MOS制程，也使得阻变式阻变存储器整体紧凑。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性与晶圆厚度方向堆叠的常规技术方案效果没有明显差别，并且读写速度比同等条件下现有技术更快。

今年以来晶合集成新获得专利授权235个，较去年同期增加了16.92%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1215条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。