宏微科技获得发明专利授权：“SiCMOSFET功率器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示宏微科技（688711）新获得一项发明专利授权，专利名为“SiCMOSFET功率器件”，专利申请号为CN202011552653.2，授权日为2025年8月8日。

专利摘要：本发明提供了一种新型SiC MOSFET功率器件，包括：衬底；漏极金属层，漏极金属层设置于衬底下；漂移区，漂移区设置于衬底上；阱区，阱区设置于漂移区上；源区，源区设置于阱区上；沟道区，沟道区设置于阱区上；沟槽，沟槽平行于沟道区中沟道电流方向设置，并且沟槽穿过沟道区并到达源区；栅极金属层，栅极金属层设置于沟槽上；源极金属层，源极金属层设置于栅极金属层上。本发明能够增加沟槽侧壁的沟道宽度，并且由于碳化硅不同面具有不同的电子迁移率，因此可以选择相对高电子迁移率的侧面，从而能够保证沟槽侧壁的反型层电子迁移率高于器件表面的反型层电子迁移率，以有效降低器件的沟道电阻。

今年以来宏微科技新获得专利授权9个，较去年同期增加了12.5%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了1.1亿元，同比增1.54%。

通过天眼查大数据分析，江苏宏微科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目53次；财产线索方面有商标信息23条，专利信息267条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可28个。

数据来源：天眼查APP

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