天岳先进：8英寸碳化硅衬底已实现量产

证券之星消息，天岳先进(688234)08月06日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者：英诺赛科成为英伟达800VDC架构的核心氮化镓（GaN）电源解决方案供应商，提供覆盖15V至1200V全电压范围的全链路器件。而天岳先进公司自主研发8英寸碳化硅衬底，已通过英诺赛科验证，2025年目标供应30%以上英诺赛科GaN外延片需求。请问是否存在？
天岳先进董秘：尊敬的投资者，您好！当前公司自主研发的8英寸碳化硅衬底已实现量产，且在晶体生长、缺陷控制、加工检测及部件自制等关键技术领域形成了完整的技术体系，产品可广泛应用于电动汽车、AI数据中心、光伏系统等多个领域。当前，公司的碳化硅衬底已得到国际一线领先功率半导体厂商的严苛验证，并已实现持续大规模批量供货。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的碳化硅衬底已成功深入切入可再生能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。关于您提及的具体客户合作细节及供应目标等信息，公司严格按照信息披露相关法律法规及规范性要求，对达到披露标准的事项均会通过上海证券交易所网站及公司指定信息披露渠道及时发布公告，有关公司的重大合同及合作进展等信息，敬请您以公司正式披露的信息为准，感谢您的关注。

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