晶丰明源获得发明专利授权：“用于与金属氧化物半导体场效应晶体管集成的增强型电容器”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶丰明源（688368）新获得一项发明专利授权，专利名为“用于与金属氧化物半导体场效应晶体管集成的增强型电容器”，专利申请号为CN202210095007.0，授权日为2025年7月11日。

专利摘要：该发明涉及一种电容器，用于与形成于同一基板上的MOSFET器件集成。该电容器包括第一极板以及第二极板；所述第一极板，包括第一导电类型的掺杂半导体层；形成于该掺杂半导体层上表面的绝缘层；所述第二极板，包括多晶硅层，该多晶硅层形成于绝缘层上表面；反型层形成于掺杂半导体层中，位于绝缘层的下方并靠近掺杂半导体层的上表面，该反型层根据在所述的第一极板和第二极板之间施加的电压形成。还包括至少一个第二导电类型(与第一导电类型相反)的掺杂区，该掺杂区形成于与MOSFET器件中形成的第一导电类型的漏极和/或源极区域相邻的掺杂半导体层中。该掺杂区域与反型层电连接。

今年以来晶丰明源新获得专利授权8个，较去年同期减少了72.41%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4亿元，同比增36.04%。

通过天眼查大数据分析，上海晶丰明源半导体股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目6次；财产线索方面有商标信息54条，专利信息475条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可3个。

数据来源：天眼查APP

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