扬杰科技获得实用新型专利授权：“具备栅氧保护结的平面栅SiCMOS”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“具备栅氧保护结的平面栅SiCMOS”，专利申请号为CN202422072715.X，授权日为2025年6月27日。

专利摘要：具备栅氧保护结的平面栅SiC MOS，涉及半导体技术领域。通过在器件栅极处微沟槽刻蚀形成凸台区，在凸台区的底部注入形成P?shield区，实现了对器件栅氧化层的保护并且还同时减小了P?shield区所带来的器件内阻增加。在器件阻断过程中，凸台区底部的P?shield区可以很好的屏蔽电场，避免电场在栅氧化层集中。而又因P?shield区的底面相较于P?body区处于较高位置，因此P?shield区所引起的内阻增加会较小，不会过多影响器件的性能。

今年以来扬杰科技新获得专利授权62个，较去年同期增加了26.53%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目184次；财产线索方面有商标信息5条，专利信息741条，著作权信息4条；此外企业还拥有行政许可234个。

数据来源：天眼查APP

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