晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202510137620.8，授权日为2025年6月24日。

专利摘要：本申请公开半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：形成伪栅于衬底包括的NMOS器件区上和PMOS器件区上；形成功能层于伪栅侧壁上和衬底上，PMOS器件区在伪栅和伪栅侧壁功能层下之外的区域为预留区域；在功能层形成后形成覆盖NMOS器件区且在PMOS器件区上开口的光阻层；利用光阻层作掩膜进行功能层的刻蚀直到露出预留区域的表面，之后去除光阻层；形成预备沟槽于预留区域中。其中，通过循环执行第一步骤和第二步骤来形成功能层，第一步骤包括形成覆盖伪栅和衬底的子功能层，第二步骤包括从衬底上方向下通入刻蚀气体对子功能层进行刻蚀直到子功能层在伪栅顶部的部分被刻蚀掉。本申请以较低成本实现NMOS器件和PMOS器件的伪栅等高。

今年以来晶合集成新获得专利授权177个，较去年同期增加了5.99%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目626次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1157条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可17个。

数据来源：天眼查APP

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