横店东磁获得发明专利授权：“一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示横店东磁（002056）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法”，专利申请号为CN202510348080.8，授权日为2025年6月17日。

专利摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法。该两端式全硅基双结太阳能电池包括：N型硅基底，依次设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化减反膜，设于N型硅基底背面的正极区和负极区；正极区包括依次设于N型硅基底背面的内硼扩散层、磷扩散层、外硼扩散层和钝化减反膜，以及设于外硼扩散层表面的正极；负极区包括设于N型硅基底背面的钝化减反膜，以及设于N型硅基底背面的负极。本发明首创性地设计了一种两端式全硅基双结叠层电池，可有效解决常规叠层电池稳定较差的问题。此外，本发明通过巧妙的结构设计将电极全部设计于电池背面，可有效减少遮光损伤，有利于提升电池性能。

今年以来横店东磁新获得专利授权71个，较去年同期增加了44.9%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了7.22亿元，同比减17.66%。

数据来源：天眼查APP

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