横店东磁获得发明专利授权：“一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示横店东磁（002056）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法”，专利申请号为CN202510386670.X，授权日为2025年6月17日。

专利摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法。该电池包括：N型硅基底，设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化膜，设于N型硅基底背面且交错排布的正极区A、负极区A、正极区B和负极区B；正极区A包括内硼扩散层、磷扩散层、外硼扩散层、钝化膜和正极；负极区A包括内硼扩散层、磷扩散层、钝化膜和正极；正极区B包括内硼扩散层、钝化膜和正极；负极区B包括钝化膜和负极。本发明电池中电极全部位于背面，不仅可有效减少遮光损伤，有利于提升电池性能，且在串联为电池组件后可避免连接导线对硅片侧面的损伤，提高良品率。本发明电池为全硅基电池，电池整体稳定性更好。

今年以来横店东磁新获得专利授权71个，较去年同期增加了44.9%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了7.22亿元，同比减17.66%。

数据来源：天眼查APP

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