晶合集成获得发明专利授权：“LDMOS器件及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“LDMOS器件及其形成方法”，专利申请号为CN202510127856.3，授权日为2025年5月9日。

专利摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法，通过在漂移区设置浅沟槽，并在浅沟槽内设置相互隔离的第一浅沟槽隔离结构第一部分和第一浅沟槽隔离结构第二部分，第一浅沟槽隔离结构第一部分上形成有第一场板，第一浅沟槽隔离结构第二部分上形成有第二场板，第一浅沟槽隔离结构第一部分和第一浅沟槽隔离结构第二部分之间形成有控制栅，控制栅与第一场板电连接，且控制栅与第二场板相互隔离。本发明具有意想不到的技术效果，通过调节加在控制栅上的电压，能够实现对LDMOS器件的关键参数击穿电压和导通阻抗的调控，在不改变LDMOS器件尺寸的前提下显著降低导通阻抗，同时在一定程度上增加了击穿电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权124个，较去年同期增加了2.48%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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