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扬杰科技获得实用新型专利授权：“减小导通损耗的SiC场效应晶体管”

来源：证券之星企业动态 2025-04-05 02:23:51

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“减小导通损耗的SiC场效应晶体管”，专利申请号为CN202421473398.6，授权日为2025年4月4日。

专利摘要：减小导通损耗的SiC场效应晶体管，涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET器件中集成SBD结构，在不影响器件源胞通流能力的同时，将原本在续流过程中只有PN结体二极管作为泄流路径，转变为同时有SBD和PN结两种体二极管作为路径，不仅减小了器件在续流过程中的导通损耗，而且也降低了器件双极退化效应的发生，使得器件可以更长期稳定的使用。

今年以来扬杰科技新获得专利授权27个，较去年同期增加了17.39%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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