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扬杰科技获得实用新型专利授权：“降低寄生电容的SiCMOSFET器件”

来源：证券之星企业动态 2025-04-05 02:22:32

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“降低寄生电容的SiCMOSFET器件”，专利申请号为CN202421473377.4，授权日为2025年4月4日。

专利摘要：降低寄生电容的SiC MOSFET器件，涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET器件中，通过将器件中隔离栅极和源级的氧化物介质层采用独特的布局，在不影响器件性能和正常使用的前提下加厚了氧化物介质层厚度，降低栅极与源级之间的寄生电容，改善了SiC MOSFET器件的开关特性。

今年以来扬杰科技新获得专利授权27个，较去年同期增加了17.39%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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