扬杰科技获得实用新型专利授权：“高短路耐量的SiCMOSFET”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“高短路耐量的SiCMOSFET”，专利申请号为CN202421473393.3，授权日为2025年4月4日。

专利摘要：高短路耐量的SiC MOSFET，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的：N+衬底层；N?漂移层，顶面设有向下延伸的P?Well区；所述P?Well区内设有向下延伸的N+区；所述N+区顶面设有向下延伸的P+区；所述N?漂移层中部设有从N+区的顶面向下延伸至P?Well区下方的沟槽区；所述沟槽区内设有依次连接的栅氧化层和Poly层；所述栅氧化层与P+区侧部设有间距；本实用新型在SiC MOSFET器件内部集成JFET，将JFET集成在器件的P?Well区中，使得器件在短路时电流流经沟道后会被内部的JFET所限制，从而达到降低短路电流的目的，提高器件的短路耐受能力。

今年以来扬杰科技新获得专利授权27个，较去年同期增加了17.39%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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