证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202411639283.4，授权日为2025年3月28日。
专利摘要：本说明书实施方式提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：基底；所述基底包括衬底和栅极结构；所述衬底形成有阱区、源漏区和轻掺杂区；其中，所述阱区包括沟道区域；所述栅极结构设置于所述沟道区域的表面；所述轻掺杂区位于所述源漏区与所述沟道区域之间；接触结构；所述接触结构设置在所述源漏区的表面；其中，所述接触结构与所述栅极结构之间形成位于所述轻掺杂区上的空气间隙。如此，可以通过空气间隙向轻掺杂区补注离子，以弥补制备过程中对于轻掺杂区离子的损耗。
今年以来晶合集成新获得专利授权81个，较去年同期增加了26.56%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。
数据来源：天眼查APP
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