天岳先进（688234）2024年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期天岳先进（688234）发布2024年年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、经营情况讨论与分析

    能源变革和人工智能（AI）是未来科技革命的双重引擎。构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源变革和AI技术进步和融合发展的核心目标，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。

    公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。

    随着全球新能源产业的持续扩张，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。

    2024年，碳化硅衬底在原有领域加速渗透的同时，积极向新兴应用领域拓展，碳化硅衬底材料在新旧领域潜力巨大。目前，碳化硅衬底行业正处于尺寸升级的关键发展阶段。衬底向大尺寸发展已成必然趋势，6英寸导电型衬底仍是主流，8英寸导电型衬底起量，12英寸导电型衬底已有研发样品。同时，碳化硅衬底材料单位生产成本下降以及规模效应显现，将进一步推动更多下游场景采用碳化硅衬底。全球头部企业在衬底材料、晶圆制造环节等产业链关键环节正加快加大布局。

    作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，2024年公司继续专注于长远发展战略目标的实现，致力于成为国际著名的半导体材料公司。

    （一）公司经营情况

    公司围绕公司长远发展战略目标，本年度公司经营业绩取得了突破性进展。

    1、聚焦核心资源、深耕主营业务。

    2024年，公司立足全球市场，全面提升核心产品的产能产量。全年济南工厂的产能产量稳步推进。上海工厂已于年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划，同时公司将继续推进二阶段产能提升规划。2024年，碳化硅衬底产量41.02万片，较2023年增长56.56%，产量持续增长，屡创历史新高。

    整体上，2024年度公司实现营业收入17.68亿元，较2023年增长41.37%。公司连续三个年度保持营收增长。一方面公司聚焦主业，加强研发创新，提升技术竞争力；深入开拓市场与客户资源，加强与国内外知名客户长期合作；持续产能释放并优化产品结构，产销量持续增加，报告期实现营业收入同比大幅增长。另一方面，公司持续降本增效，不断提升管理能力，报告期内公司的销售毛利率同比实现较大提升，归属于母公司所有者的净利润和归属于母公司所有者的扣除非经常性损益同比大幅增加，2024年度，公司季度利润全面转正，全年实现扭亏为盈；每股收益、加权平均净资产收益率等指标均同比改善。

    2、与客户、供应商构建紧密的合作生态，共同推动碳化硅行业发展。

    公司深度融入碳化硅行业价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。公司以先进的技术能力为核心，精准把握全球客户的最新需求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。

    公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，有助于通过创新和广泛的行业合作打造强大的碳化硅行业生态系统。公司的碳化硅衬底产品已经在可再生能源及AI领域龙头公司的产品中得到广泛使用，进一步帮助公司持续优化碳化硅产品及服务以满足其要求。2024年度，公司国际知名客户的收入贡献实现稳步增长，且公司策略性地专注于满足下游产业对高品质产品的需求，使公司在显著扩大业务规模的同时，仍能保持财务韧性。

    根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。

    3、公司持续拓展且性能卓越的产品组合，助力下游应用拓展

    公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。

    公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。

    2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。

    2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

    （二）研发创新情况

    碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，具有较高的技术壁垒，制备过程高度复杂。努力保持领先的技术地位是公司的企业基因，要求公司坚定不移地致力于研发。2024年，公司研发费用1.42亿元，较2023年增长3.38%。公司的重点涵盖基础研究、产品开发及工程研发，确保公司不仅始终走在科技进步的前沿，并且不断改进公司的产品。

    公司在核心技术和产业化能力优势，保障了产品的大批量稳定交付。目前公司在衬底制备上处于国际第一梯队，引领行业发展，在基础研究、产品开发以及工程研发等方面依托于完全自主研发创新。

    公司研发与规模化生产形成良好的正循环积累。公司会针对下游客户的痛点及需求进行有针对性的研发，并根据彼等的反馈优化及改进公司的产品。这种方法使公司的产品能够更好地支持客户的终端产品。

    公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。同时，公司是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。

    截至2024年末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权194项，实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。

    截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计66人，占研发人员总数的44.90%。公司享受国务院特殊津贴专家两人。

    （三）年度成果和荣誉

    2024年，上海工厂已于年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划，同时公司将继续推进二阶段产能提升规划。上海临港工厂将是公司导电型产品的主要生产基地。上海工厂具有模块化高标准设计，率先打造碳化硅衬底领域智慧工厂，通过AI和数字化技术持续优化工艺，为产能提升打下重要基础。

    2024年，公司“一种高平整度、低损伤大直径单晶碳化硅衬底”专利获得中国专利银奖荣誉。中国专利奖由国家知识产权局和世界知识产权组织共同主办，是我国唯一对授予专利权的发明创造给予奖励的政府部门奖，也是我国在专利领域的最高荣誉。公司获奖专利在8英寸碳化硅衬底面型、高平整度、低粗糙度等性能提升和批量化制备方面具有领先优势，突破了大尺寸高质量碳化硅半导体衬底加工技术，实现了国产化替代，具备引领行业发展的优势。

    2024年，中国企业评价协会发布的2024年中国新经济企业TOP500榜单中，公司凭借在碳化硅衬底新兴技术领域的卓越表现，成功入选。此次入选企业均为各自领域的佼佼者。中芯国际、北方华创、比亚迪、宁德时代以及天岳先进等科技企业，在半导体及芯片的新兴应用领域不断突破，为我国科技自主可控贡献力量。

    公司已被国际权威指数机构MSCI公司纳入“MSCI中国A股在岸指数”的成分股名单，公司已经成为科创50等重要指数成分股。

    2024年9月，上交所公示了“沪市上市公司2023至2024年度信息披露工作评价结果”，公司首次获得最高等级“A”。2024年12月，公司荣获中国上市公司协会2024年上市公司董事会办公室“优秀实践”。上述荣誉代表着对公司信息披露质量、规范运作水平、投资者关系管理等方面的充分认可与肯定。公司也将持续提升公司信息披露工作质量，探索投资者关系管理工作的创新模式，积极贯彻落实“提质增效重回报行动方案”有关要求，以高质量的信息披露工作传递公司价值，推动公司高质量发展。

    2024年是公司发展的关键战略机遇期，天岳先进始终围绕技术、产能、客户、市场构建长远发展的核心竞争力。经过多年发展，公司技术优势显著，临港工厂的提前达产有利保障了客户订单的稳定交付。上海临港工厂第二阶段产能提升规划也已启动，公司将持续提升高品质导电型碳化硅衬底产品的产能产量，服务全球知名客户。

    未来，天岳先进将以“先进品质持续”的经营理念，力争通过先进的技术能力、生产能力和管理能力，不断丰富产品系列，升级产品性能，为客户提供卓越的产品和服务品质，开创可持续发展的经营基业。

    二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明

    (一)主要业务、主要产品或服务情况

    1、主要业务

    公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。

    公司专注于碳化硅行业已超过14年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，目前公司量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，公司于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底。不仅在碳化硅衬底大尺寸化上，公司在产业化能力和产品品质方面也能继续保持全球领先。通过推动产品大尺寸化、生产效率提升的双轮驱动，公司助力客户持续降低碳化硅衬底的规模化使用成本，推动碳化硅衬底在更多应用场景加速应用。

    2、主要产品及服务情况

    公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。

    可再生能源及AI技术革命使得全球工业发生重大转变，推动对更强大、更高效的功率半导体器件需求的增长。传统的硅半导体因其固有的局限性已难以满足产业升级需求，这促使半导体行业寻求效率更高、寿命更长及性能更佳的材料。在行业创新发展过程中，碳化硅已成为改变游戏规则的材料，凭借其优异的性能为各行各业带来革命性的变化。

    碳化硅材料是一种化合物宽禁带半导体材料，与传统硅相比具有以下优势：

    2.1禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；

    2.2热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；

    2.3击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；

    2.4饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。

    上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、电压及频率下运作，同时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电子元件及系统的可靠性增强。因此，乘着可再生能源及AI领域需求激增的浪潮，以碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响。

    公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验。这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬底，克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制的难题。于2024年11月，公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

    公司专注于碳化硅衬底领域已超过14年，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，致力于为客户提供优质碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升客户产品在各行业中的性能。公司主要提供4英寸、6英寸及8英寸碳化硅衬底，是全球少数能同时提供各种尺寸的导电型及半绝缘型碳化硅衬底的公司之一。

    (二)主要经营模式

    1、研发模式

    我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：

    1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反馈的分析，向研发团队提交需求申请；

    1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；

    1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实验验证；

    1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编写《项目验收报告》并交至研发团队审核；

    1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。

    2、采购模式

    碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。

    公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。

    公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。

    3、生产模式

    公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。

    公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术升级及产品迭代奠定坚实的基础。

    公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及指定纠正及预防措施。公司的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。

    4、营销模式

    公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售策略。

    公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下优势：

    4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；

    4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；

    4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；

    4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的营销战略；

    4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。

    公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其他定向营销及推广活动，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。

    (三)所处行业情况

    1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

    能源变革和人工智能(AI)是未来科技革命的双重引擎。构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源变革和AI技术进步和融合发展的核心目标，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。

    碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域加速渗透应用，行业前景广阔。

    相较硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅展现出独特的物理化学性能。碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。这些特性使得碳化硅在电动汽车及光伏等高性能应用领域中具有显著优势，尤其是在稳定性和耐用性方面。

    碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括电动汽车、光伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导体激光等。

    功率半导体器件是电力电子产品中用作开关或整流器的半导体器件，主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。

    根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，碳化硅功率半导体器件市场显著增长。全球碳化硅功率半导体器件在全球功率半导体器件市场中的渗透率由1.1%增至5.8%，预计于2030年将达到22.6%。

    从具体应用领域来看，根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，应用于电动汽车的碳化硅功率半导体器件全球收入的复合年增长率高达66.7%，而从2024年到2030年，电动汽车领域的复合年增长率仍高达36.1%，将继续引领全球碳化硅功率半导体器件市场的增长。光伏储能、电网、轨道交通领域亦表现出强劲的增长势头，未来预测期间的复合年增长率将分别达到27.2%、24.5%及25.3%。家用电器、低空飞行和数据中心等碳化硅功率半导体器件新兴应用领域将展现出最快的增长速度，应用于上述领域的碳化硅功率半导体器件全球收入的预测复合年增长率预计将达到39.2%。

    随着全球新能源产业的持续扩张，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。随着AI发展所需算力迅猛增长，数据中心的能源耗用也在快速增加。根据弗若斯特沙利文的资料，预计至2030年，全球AI数据中心容量将增长至299GW，较2023年净增加244GW，2023年至2030年间的复合年增长率达到27.4%，该增长预计将直接推动数据中心耗电量占全球电力消费的比例由2023年的1.4%上升至2030年的10.0%。至2030年，对应采用碳化硅功率器件的电源供应单元在人工智能数据中心领域的市场规模预计将超过人民币800亿元。

    除此之外，碳化硅在其他新兴领域的应用也在层出不穷，如AI眼镜领域。碳化硅材料可应用于AI眼镜的光波导镜片中。碳化硅材料折射率显著高于高折射率玻璃和铌酸锂，可以实现更大的视角及更简单的全彩显示结构，减少AI眼镜的尺寸、重量以及制造成本和复杂性，从而显著提升AI眼镜的用户体验。由于碳化硅材料卓越的光学特性，AI眼镜行业市场预计将大幅增长，至2030年，全球出货量将超过6000万副。

    公司作为衬底制造商，属于整个碳化硅半导体器件产业链的上游参与者，是产业链中将原材料转化为可供下游使用的衬底产品的关键环节。

    根据弗若斯特沙利文的资料，以销售收入计，全球碳化硅衬底市场由2019年的人民币26亿元增长至2023年的人民币74亿元，复合年增长率为29.4%。预计到2030年，市场规模将有望增长至人民币664亿元，复合年增长率为39.0%。

    伴随着下游应用领域旺盛的需求，碳化硅市场产能持续稳定释放、上下游产业链的协同发展、碳化硅厂商的核心技术竞争力将成为全球宽禁带半导体行业未来发展的重点。

    2、公司所处的行业地位分析及其变化情况

    公司在材料科学领域的持续深耕正在引领多个产业的发展，以碳化硅材料创新为新能源与AI两大产业提供核心支撑，赋能未来科技革命。公司的碳化硅衬底可广泛应用于电动汽车、AI数据中心、光伏系统、AI眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基站等领域。凭借行业领先的技术创新能力、强大的量产能力、高质量的产品组合、与上下游市场参与者建立的紧密合作生态及高效的管理能力，公司正在引领碳化硅行业蓬勃向前发展。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一、也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。

    公司已跻身为国际知名半导体公司的重要供应商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司的碳化硅衬底经客户制成功率器件及射频器件，该等器件最终应用于诸如电动汽车、AI数据中心及光伏系统等多领域的终端产品中。

    公司已经形成了全面的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等各个生产碳化硅衬底关键环节，公司的自主技术工具包支撑公司在产品缺陷控制和成本优化方面达到国际一流的水准。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，2024年度，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。

    全球碳化硅衬底市场由少数头部企业主导，头部企业在技术实力、生产规模、品牌知名度和认可度方面具有显著优势。

    根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）是全球排名第二的碳化硅衬底制造商，市场份额22.80%。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。

    3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

    3.1全球能源变革推动碳化硅产业发展。

    在能源供给侧，能源变革强调减少对化石燃料的依赖，发展太阳能和风能等清洁、可再生能源。自2019年至2023年，全球电力消费占全球总能源消费的比例由19.7%增长至21.2%。电力消费总量的增加使得电能利用效率变得尤为关键。凭借碳化硅材料高频、低损耗、耐高压、耐高温的优势，碳化硅功率半导体器件能够提升电力在生产和消费环节的转换效率，实现更小的系统体积和更高的功率密度，并减少对散热系统的需求，已经成为电动汽车、光伏储能系统、电力供应、数据中心等领域的“能效倍增器”，推动能源体系向低碳化跃迁。

    3.2AI行业增长和创新扩大碳化硅市场发展增量空间。

    AI目前正被融入行业和个人日常生活的各个方面，将对人类的发展产生深远的影响。并且随着大语言模型技术的进步，生成式AI具备更强的推理和智能化能力，将进一步加速AI的快速渗透。作为支撑AI发展的重要基础设施，数据中心预计到2030年将占据全球电力消费的10%。相比传统硅基功率半导体器件，碳化硅基功率半导体器件能够提供更高的电力转换效率和更高的功率密度。碳化硅基功率半导体器件在数据中心的应用是缓解全球AI电力供应挑战、实现数据中心低碳化的必然选择。此外，AI技术的发展不断催生AI智能产品创新，AI智能产品创新又同时催生了以碳化硅为代表的新型材料的应用机会。例如，碳化硅基材料的光波导应用于AI眼镜中可以实现更大的视场角和结构更简单的全彩显示，可减少AI眼镜的尺寸、重量以及制造成本和复杂性，并显著提升用户体验。

    3.3对性能、效率、稳定性的更高要求驱动碳化硅功率半导体器件市场增长。

    从2019年到2023年，全球碳化硅功率半导体器件行业市场规模显著增长，从5.1亿美元增加至27亿美元，复合年增长率达到52.2%。这一增长趋势不仅反映了碳化硅功率半导体器件市场的强劲需求，也直接推动了对碳化硅衬底的需求增长。随着碳化硅功率半导体器件在电动汽车、光伏风能、5G通信等战略性新兴产业中的广泛应用，衬底作为生产碳化硅器件的关键材料，其市场需求随之扩大。预计从2024年到2030年，碳化硅功率器件行业的市场规模将继续增长，复合年增长率为35.2%，预计到2030年市场规模将达到约197亿美元。全球碳化硅在整个功率半导体器件市场中的渗透率也显著提升，从2019年1.1%增长到2024年的6.5%，并预计到2030年将增长至22.6%。

    3.4技术进步推动生产效率提高，降低生产成本，提升经济性和渗透率。

    技术端晶体生长、切片、磨抛工艺的进步显著提升了碳化硅衬底的生产效率，并降低了生产成本。例如，晶体生长技术的进步推动8英寸导电型衬底实现量产，更大的可用衬底面积推动单位综合成本降低50%，并提升了衬底生产良率，进一步推动了衬底单位成本的下降。随着技术的不断进步和产能的扩大，预计碳化硅衬底的成本将进一步降低，经济性和市场渗透率将继续提升。

    (四)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及材料质量表征创新。公司的成功源于我们的专有技术，公司致力于自主研发，并形成一套全面的知识产权保护体系。

    （1）碳化硅晶体生长过程中的缺陷控制技术

    碳化硅材料中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅材料包含200多种晶体结构，为确保获得符合要求的晶体结构并避免产生多型夹杂等常见缺陷，精确控制温度、压力、气流等多种参数至关重要；碳化硅晶体生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错及点缺陷等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。

    我们(i)通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和近零微管密度的晶体生长；(ii)通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，大幅度提高了晶体结晶质量；(iii)通过对贯穿型位错的产生及转化机制的研究，以及在位错消除工艺上的创新，实现了对螺型位错密度低于100cm-2以内以及最优质控制在1cm-2以下的高质量碳化硅衬底的商业化；及(iv)通过C/Si成分调节技术，实现了生长界面上C/Si组分的精准调控，确保对晶体内点缺陷的类型及浓度进行控制。该等技术使我们能够在高质量碳化硅晶体的连续生长过程中实现质量稳定可控。

    （2）碳化硅晶体生长设备及热场设计制造技术

    我们的碳化硅晶体生长设备采用高真空系统结构，可在实现极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了碳化硅粉料及碳化硅晶体生长腔室的纯度。此外，我们对碳化硅晶体生长设备自动化程度进行不断提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。

    碳化硅晶体生长热场是碳化硅晶体生长的核心，决定了晶体生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。我们的热场仿真建模团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅晶体进行精确的热场仿真、建模和设计，从而满足晶体的生长技术需求。

    （3）高纯碳化硅粉料制备技术

    碳化硅粉料是碳化硅晶体生长的原料。由于合成环境的影响及原辅材料中本身含有不可去除的杂质，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。我们研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨保温材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。

    （4）精准杂质控制技术及电学性能控制技术

    半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，在生长过程中对进入到晶体中的杂质进行精准控制至关重要。

    我们基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制。此外，我们开发出创新性的电学性能控制技术，实现导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性，并将其面内电阻率均匀性控制在2%以内。（5）碳化硅衬底超精密加工技术

    我们的超精密加工技术包括：

    (i)高面型质量的碳化硅晶锭多线切片技术。碳化硅晶体的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，是一种硬脆材料。我们开发出一种针对大尺寸晶体的分段式多线切片工艺。根据特定晶体类型，我们设计了最优的进刀曲线，从进刀到出刀阶段优化了晶体面型，从而降低切片的表面损伤。我们亦配制了独特的碳化硅晶体切片液，显著提升了切割效率。

    (ii)高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术。由于碳化硅晶体材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。我们通过多年研究，研发了碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。

    (iii)碳化硅衬底表面清洗技术。化学机械抛光工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面亚微米级颗粒、沾污、金属离子等。我们自主研制了化学清洗液，开发了多步清洗工艺，有效去除衬底表面的微小颗粒及金属离子沾污，使客户能够开盒即用。

    （6）液相法

    有别于传统技术，我们的液相法涉及从熔融硅碳溶液中生长碳化硅晶体。该技术能够更好地控制生长参数，使晶体内的掺杂剂分布更加均匀，特别适用于高功率高耐压电子产品碳化硅晶体的生长。通过精细管理熔融物的温度及成分，我们可以生产出缺陷更少、电阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶锭。液相法使我们能够生产无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    1、推动碳化硅材料商业化的全球领导者和创新者

    我们是碳化硅行业的领导者，拥有覆盖全生产环节的强大技术能力。我们自成立以来，同时布局导电型及半绝缘型碳化硅衬底的研发和产业化。利用从产品开发过程中获得的专业技术知识，我们迅速向市场推出一系列不同类型、不同尺寸的碳化硅衬底。我们完成高品质8英寸碳化硅衬底制备，并成为全球首家推出12英寸碳化硅衬底的公司。

    我们是全球碳化硅行业的创新者。我们积极响应新能源与AI两大市场需求，不断推出新产品，是推进碳化硅材料大规模商业化应用的市场先驱。我们推出的大尺寸、高品质碳化硅衬底，正加速碳化硅材料在下游应用领域的渗透，如电动汽车、AI数据中心、光伏系统及电网等。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的公司之一，及全球首家发布12英寸碳化硅衬底的公司。2024年11月，我们率先交付通过液相法生产的高质量低阻P型碳化硅衬底。此外，我们与多个消费电子行业全球领导者共同合作，探索碳化硅材料在AI眼镜、手机射频前端的应用，这将帮助碳化硅材料进一步打开更大规模的下游应用市场。

    得益于我们在碳化硅领域构建的技术优势及强大的行业影响力，我们不断扩大市场份额并获得更多的优质客户认可。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，与全球龙头客户共同推动行业发展。

    2、前瞻的研发布局和研发能力，构筑技术壁垒，实现可持续创新

    通过前瞻性研发布局和持续性研发投入，我们形成了全球领先的碳化硅材料相关研发能力。我们观察到全球新能源行业的发展潜力，继续致力于开展导电型产品技术开发，进而成为全球主要功率半导体厂商的供应伙伴。碳化硅材料需求爆发的关键在于成本效益能够持续优化，因此我们在生产大尺寸碳化硅衬底相关的技术上大力投入，成为全球首家推出首个12英寸碳化硅衬底的公司。我们在碳化硅材料上所形成的技术优势，使得我们处于将碳化硅材料应用于更广泛场景的前沿，在数据中心、电网以及AI眼镜等新兴技术及应用领域上推进碳化硅材料的加速应用。

    我们形成了覆盖全生产环节的核心技术储备，并在行业中处于领先地位：(i)在粉料制备环节，我们自主开发了高真空度的粉料反应腔室，设计了特殊反应工艺，从而控制粉料中主要电活性杂质浓度和氮浓度；(ii)在长晶环节，我们通过自主设计长晶设备，对坩埚、保温进行设计，实现了均匀热场结构，提升了晶体质量和生产效率；我们形成了系统性的缺陷表征与控制技术，有效降低了包括微管、多型夹杂、位错等在内的缺陷密度；(iii)在衬底加工环节，以长期积累的海量衬底加工大数据为基础，我们开发了多块拼接多线切片技术，解决了拼接棒长与切片质量关系的行业难题，通过优化切片液的流变性和磨料形貌、粒径及分布的调控，大幅度降低了切片的表面损伤；我们还研发了一整套的磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。我们的技术能力使我们能够精确控制碳化硅衬底的性能，实现所生产碳化硅衬底的近零微管缺陷，提高生产效率并降低加工成本，同时确保衬底质量的一致性。

    我们注重对研发成果的保护，将上述核心技术转化为知识产权，构建起技术壁垒。截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权194项，实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，2024年度，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。

    我们获得了国内宽禁带半导体材料领域首个基于ISO56005的《创新与知识产权管理能力》三级证书，这体现了我们在研发管理和知识产权管理方面取得的成绩。

    我们的核心技术除了转化为专利外，还形成了专有技术体系。如我们基于自主开发的应力量化表征技术体系，能够实现对碳化硅衬底应力的量化表征，进而实现对生产工艺的良好控制和持续改进，并且可以实现对衬底质量的深度控制，规避如晶圆翘曲、缺陷增殖、器件失效、光学镜片光栅变形脱落等质量问题。

    我们能够取得上述非凡的研发成就主要得益于以下几个方面：(i)我们建立了高效的销售—研发—生产联动机制：我们结合下游客户需求进行前瞻研发以确保研发成果能够及时、有效传递至生产部门，及(ii)我们拥有优秀稳定的研发团队。我们已培养了一支专业的研发队伍，其中博士或硕士学历占比接近50%。

    3、强大的量产能力，实现高质、高效、高稳定性的规模化交付

    我们经过多年行业深耕、工艺经验积累，已取得突破，实现产能快速提升。2024年度，公司碳化硅衬底产量41.02万片，较2023年增长56.56%，产量持续增长，屡创历史新高。

    我们的产能与我们丰富的生产管理经验互为补充，确保了广受客户认可的产品品质。我们积极践行精益生产理念，制定了标准化生产流程，引入先进的自动化和智能化设备，减少人工干预，提高生产过程的稳定性和可靠性。我们持续对生产过程进行实时监控、有效分析并持续改进。我们强大的生产管理能力使得我们在产品交付结果上进一步领先行业。

    我们的生产能力优势表明我们顺应了下游市场的发展趋势，在大尺寸快速量产及生产一致性保障能力、有效长晶厚度提升能力、低缺陷生产能力、智能化生产能力等方面具备领先地位。

    3.1大尺寸快速量产及生产一致性保障能力。

    我们在8英寸产品的量产能力上领先于竞争对手，这主要得益于我们拥有一支具备极强执行力以及前瞻性战略布局能力的生产管理团队。我们的生产管理团队已经形成了一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸产品的快速量产经验。以上海生产基地为例，其于2023年1月开始设备进场，到同年5月即实现产品交付，于2024年上半年已经达到年产30万片碳化硅衬底的量产能力，实现该目标原计划是到2026年。在前瞻性布局方面，我们提前对晶体生长设备进行差异化设计，使得其具备兼容8英寸和6英寸生产工艺的能力。随着近年来8英寸碳化硅衬底需求上升，我们的工厂可以快速从生产6英寸产品切换至8英寸产品。我们灵活的生产能力将使得我们在碳化硅衬底大尺寸化的趋势中占据有利地位。

    我们不仅在生产质量方面表现卓越，而且在大尺寸产品的质量方面亦同样出色，我们确保大尺寸产品生产过程中的生产一致性。这保证批量交付的碳化硅衬底的质量，并为我们的全球客户提供稳定的交付保障。此外，我们的8英寸产品在国际龙头客户处实现批量出货，使得我们能够及时了解到产品使用过程中的反馈情况以及客户的高品质需求，对8英寸产品的生产工艺持续进行迭代升级，进一步构筑高竞争壁垒。

    3.2有效晶体生长厚度提升能力。

    碳化硅晶锭的有效厚度如果能够提升，一方面可以节约昂贵的碳化硅籽晶用量；另一方面单个晶锭切割出来的衬底增加，能够大幅降低碳化硅衬底的生产成本。然而，提升有效厚度在量产端面临诸多挑战，包括如何确保晶体生长时厚度增加和碳化硅粉料消耗对生长腔室内部热场不会造成改变。我们解决了上述生产难题，并通过高效的生产管理能力，保证了大量离散的长晶设备产出结果的一致性。

    3.3高良品及低缺陷。

    我们的碳化硅衬底已达到近零微管，表现为无堆垛层错、低基底面位错(BPD)密度、低螺位错(TSD)密度及低刃位错(TED)密度。我们已进一步制定并实施Z计划，旨在实现高质量产品及无缺陷交付。

    3.4高智能化生产能力。

    我们注重生产工厂的智能化、自动化建设。一方面，智能化工厂一旦稳定运行，将大幅减少人为因素产生不利影响的风险，这对高品质衬底的制备至关重要。另一方面，高度自动化将帮助我们有效优化相关人力成本。以上海生产基地为例，其在设计之初即定位为智慧工厂。因此，我们为该生产基地配备了高性能、智能化的设备，通过AI和数字化技术持续优化工艺。在我们的上海生产基地，我们运用信息系统实现了生产品质实时分析、监测和预警，在工艺控制、信息采集、运行环节都完成了信息化建设，对生产工艺持续优化升级。公司通过部署机器人系统和智能设备单元，实现了主要生产设备长晶炉运行控制与管理的自动化。

    4、持续拓展且性能卓越的产品组合，助力下游应用拓展

    我们致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。

    为顺应下游应用的发展趋势，我们持续进行产品创新，这让我们能够抓住每个随时出现的市场机会。例如，我们针对新能源汽车领域，于2022年较早的通过了车规级IATF16949体系认证，我们的碳化硅衬底已得到国际一线领先功率半导体厂商的严苛验证，并已实现持续大规模批量供货。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，我们的产品已成功深度切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。

    我们致力于为客户提供优质的碳化硅衬底。我们通过技术创新，合理设计晶体生长工艺，解决大尺寸热场下的成核均匀性及诱生的微管、多型夹杂等缺陷问题，实现具有良好面型、高平整度、低粗糙度的高质量车规级碳化硅衬底，获得了客户的高度认可。2023年，我们获国际头部汽车厂商授予的“优秀供应商奖”荣誉。

    5、与客户、供应商构建紧密的合作生态，共同推动碳化硅行业发展

    我们深度融入碳化硅行业价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。以先进的技术能力为核心，我们精准把握全球客户的最新需求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最终实现产业链共赢，助力我们持续提升全球影响力。此外，我们致力于通过创新和广泛的行业合作打造强大的碳化硅行业生态系统，在可再生能源、AI两大重点领域拓宽碳化硅行业下游应用，助力碳化硅行业蓬勃发展。

    在客户端，我们(i)实行品牌触点计划（P计划），确保在与我们的每一次互动中为客户留下对我们品牌的正面印象和记忆；(ii)形成了覆盖中国、欧洲及日本等地的全球销售服务网络，以便能够及时响应全球客户的各类业务需求；(iii)与客户建立了紧密相连的生态系统。得益于我们的技术优势、卓越的产品品质、强大的交付和客户服务能力，我们已与标杆客户维持稳固及长期的合作关系。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。报告期内，我们的客户保持高度忠诚，除了我们卓越的产品品质外，这也与我们和客户建立的合作生态密切相关。

    碳化硅衬底作为半导体器件的关键，需要经过外延、芯片制造、封装测试等复杂的验证程序，实现最终应用。由于验证周期长，半导体企业一般不会轻易变更通过认证的碳化硅衬底材料供应商。此外，我们的碳化硅衬底已经在下游龙头客户的产品中得到广泛使用，这使得我们能够及时听到该等终端客户的需求反馈，帮助我们优化碳化硅产品及服务以满足其要求，从而进一步提高客户忠诚度。国际知名客户的收入贡献稳步增长，且我们策略性地专注于满足下游产业对高品质产品的需求，使我们在显著扩大业务规模的同时，仍能保持财务韧性。我们积极推动碳化硅材料在下游市场的更广泛应用，以发掘新兴商机，体现在我们已投资了一家滤波器材料公司。

    我们与知名供应商建立了深厚关系并签订长期战略采购协议，确保关键原材料的供应稳定。报告期内，我们自多元化的供应来源采购原材料，不仅确保了原材料的稳定供应，同时降低了原材料采购成本。我们的供应链合作伙伴通常可以优先保证我们的产能，为我们提供具有成本优势的原材料，助力我们实现量产。此外，我们与供应商伙伴强强联合，通过共享行业洞察、技术交流、协同开发等深度合作，引领了碳化硅行业关键原材料及上游设备的性能优化升级。

    6、富有远见且经验丰富的管理团队及具有竞争思维的人才队伍

    我们的创始及执行团队由业内富有远见且经验丰富的领导者组成，具备卓越的战略视野和丰富的行业管理经验。创始人兼董事长、总经理宗艳民先生在碳化硅行业拥有多年的研究和产业化经验。他对该行业的深刻理解以及在科技创新方面的远见卓识，为我们的战略发展方向提供了重要指引。公司首席技术官高超先生作为第一发明人已获30余项专利授权。高博士作为本公司创始团队成员，带领研发团队突破多项关键技术。我们的核心管理团队对于全球行业发展趋势和客户需求具有深刻洞察，可带领我们在业务和财务方面取得显著突破。

    受益于我们管理团队所带来的丰富经验，我们能够建立成功的产品开发及量产的经营表现。应对不断变化的营运环境和执行战略举措的能力对推动我们的增长至关重要。此外，我们秉持“人才第一、引育一流”的理念，通过建立健全的人才培养、激励和晋升机制，打造了一支专业背景多元、年轻富有创造力的研发团队。报告期末，我们的研发团队由来自材料科学、电子工程、物理、化学及机械工程等领域的多名专业人员组成，博士或硕士学历人员占比接近50%。我们的研发团队富有创造力，有力支撑我们的技术创新和产品迭代。

未来展望：

(一)行业格局和趋势

    1、碳化硅衬底在原有领域加速渗透的同时，积极向新兴应用领域拓展

    碳化硅衬底材料近年来发展迅猛，应用范围不断拓展。碳化硅功率半导体器件在电动汽车领域的渗透率在2024年为19.2%，到2030年预计将达到53.6%；在光伏储能领域，碳化硅的市场渗透率预计将从2024年的9.7%增长至2030年的20.4%。在光波导领域，碳化硅可用于AI眼镜中，实现更低的折射率和更轻的重量，预计未来随着AI眼镜的出货量上涨，碳化硅在此领域的出货量将随之提升。随着5G蓬勃发展，滤波器领域对碳化硅需求骤增。5G高频高速的特性要求滤波器低损耗、高稳定，碳化硅衬底恰好满足需求。因此未来在先进通信基站建设中，其渗透率逐年攀升。其在先进通信基站中的渗透率从2019年的36%增长至2024年的50%，预计到2030年将增长至66%。同时，电子器件性能提升带来散热压力，碳化硅凭借其高导热、耐高温特性，在高端散热材料市场中脱颖而出，市场份额将持续增长。可见，碳化硅衬底材料在新旧领域潜力巨大，未来将在科技产业变革中发挥关键作用，助力多行业突破技术瓶颈，推动全球科技产业迈向新高度。

    2、衬底向大尺寸发展，6英寸导电型衬底仍是主流，8英寸导电型衬底起量，12英寸导电型衬底已有研发样品

    目前，碳化硅衬底行业正处于尺寸升级的关键发展阶段。6英寸导电型衬底依旧是市场主流，但8英寸导电型衬底的市场需求正逐步攀升。8英寸衬底单片芯片产出量约为6英寸的2倍、4英寸的4倍，而且能部分运用硅基功率芯片产线装备，可有效降低成本、提高生产效率。率先实现8英寸碳化硅衬底研发突破的企业将更早地进入下游器件制造商的验证环节，其电学性能验证周期一般长达6至12个月，一旦验证成功，下游器件制造商将不会轻易更换衬底供应商。基于这些优势，全球衬底制造商纷纷大力投入8英寸导电型衬底产线建设。据统计，全球碳化硅功率半导体器件制造商在8英寸项目上的总投资额已超人民币1,754亿元，其中前五大碳化硅功率器件制造商总投资额超人民币1,269亿元，占比超72%。与此同时，业内制造商也在不断探索更大尺寸的衬底。目前，12英寸导电型碳化硅衬底已有研发样品。12英寸衬底能进一步提升经济效益，为碳化硅材料的大规模应用创造更多可能，代表着碳化硅衬底技术未来的发展方向与产业化趋势。

    3、单位生产成本下降以及规模效应显现，推动更多下游场景采用碳化硅衬底

    未来碳化硅衬底价格将持续下降，主要受两个因素推动：首先是生产技术和工艺路线的迭代升级带来的单位成本下降；随着碳化硅晶体生长等环节良率的提升以及衬底尺寸的扩大，各器件单位成本将持续下降。其次是规模效应，随着全球尤其是中国碳化硅衬底头部制造商的产能扩张，头部制造商在成本分摊、生产自动化和工艺优化、供应链采购、技术积累等方面展现出显著的规模效应，从而推动衬底价格的下降。衬底价格下降将推动更多下游场景采用碳化硅衬底。

    (二)公司发展战略

    1、保持创新领先性，引领碳化硅材料的渗透应用

    作为全球碳化硅行业的领导者和创新者，我们计划通过我们在全球半导体市场深耕多年所形成的技术优势，引领碳化硅材料在下游应用市场的普及，建立稳定的碳化硅生态系统。凭借我们领先的技术、产能及高效的生产优势，我们将继续努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化，提高其在功率半导体市场的渗透率。

    我们致力于推动碳化硅材料在可再生能源及AI领域的整合应用，并认识到其于引领未来技术进步中的关键作用。我们持续推进碳化硅材料在电动汽车、电网、轨道交通及家电等现有应用领域的持续渗透，同时，我们也致力于实现碳化硅材料在AI数据中心、AI眼镜及先进散热部件等新应用场景的技术突破。

    2、加强研发能力，完善前沿技术布局，丰富产品组合

    我们将持续加强研发能力，丰富专利组合，以巩固我们在碳化硅行业的技术领先地位。具体而言，我们计划(i)聚焦材料性能、晶体生长热动力学、晶体生长方法、晶体缺陷生成及演化机理的研究；（ii）在材料性能、晶体生长和缺陷控制等核心技术领域开展密集试验，不断突破技术瓶颈，持续优化碳化硅材料的制备工艺；(iii)加强我们对不同类型，以及不同尺寸的碳化硅衬底的研发能力，强化在大尺寸化生产技术、零缺陷技术、P型衬底技术、液相技术等领域的技术领先优势，带动材料性能提升和产品更新换代；(iv)研发下一代变革性技术，推动碳化硅衬底在多种新兴领域的应用。

    我们将坚持自主研发，持续招募顶尖人才，给予研发人员充足的资源支持，并通过我们强大的技术平台及不断积累的专业知识，确保研发人员始终关注最先进技术，从而巩固我们的行业领先地位。我们将不断完善研发激励机制和研发管理体系，激发研发人员的创新活力。我们将加强高校合作，为技术突破和产品创新提供坚实基础。

    3、保持并持续提升产能，提高生产效率和交付质量

    为有效满足下游客户不断变化的需求，我们将持续强化有效产能，特别聚焦于大尺寸碳化硅衬底，从而巩固我们的行业领先地位。

    我们将持续投资于现有生产基地并进行技术升级，从而优化我们的整体产能及效率。我们致力于(i)提升供应链的稳定性；(ii)开发具备技术领先性的设备；(iii)改进生产流程，提高设备利用率，提升物料使用效率，降低生产环节浪费；(iv)加强数字化运营系统，提高我们智慧工厂的自动化水平；(v)持续优化工程参数，应用晶体快速生长和厚度提升等核心技术，提升生产效率、降低生产成本，实现规模化精益生产。

    同时，我们将继续落实Z计划，提升产品交付质量和交付效率。一方面，我们将通过专注且广泛的沟通，全力提供满足客户不断变化需求的碳化硅衬底。另一方面，我们将在制造过程的各个阶段制定严格的质量把控标准，以确保碳化硅衬底的高质量和高一致性，并保持我们及时高效交付的优势。

    4、加强全球合作生态系统建设，扩大客户群并深化客户关系

    通过与业内上游供应商及下游客户的合作，我们致力于建立共赢的碳化硅生态系统。我们旨在在技术及应用层面扩大碳化硅材料市场规模和渗透率，引领碳化硅行业的发展。

    我们致力于加强与上游供应商及下游客户的长期战略合作关系。同时，我们将扩大国内外市场的客户群，进一步扩大我们的业务规模，提升全球市场占有率。通过深化与全球领先公司的合作，我们持续引领行业趋势，巩固我们的市场地位。与全球tier1客户的广泛合作将使我们能够共同定义产品工艺和供应链标准，加速新技术的商业化，并提高现有产品的性能和促进成本优化，最终提升我们的市场渗透率。同时，不断拓展新客户，拓宽新应用领域的客户覆盖广度，对我们的可持续发展及市场扩张极为重要。此外，我们将持续完善全球化销售及服务系统，进一步深挖海内外客户需求、提升客户响应速度及满意度、优化交付成本。秉持合作共赢理念，我们将在深化产业链战略协作的同时，持续强化客户导向型服务体系和全球技术领先优势，巩固作为技术领先的全球碳化硅衬底公司地位。

    我们将继续加强与全球领先的原材料及设备供应商的合作，保证我们的稳定供应及成本优势，并积极通过合作共创不断提升材料及设备性能、优化生产成本。此外，我们将通过多渠道、多层次的供应商资源池，进一步深化我们的多元化的全球原材料采购网络，提高供应链的弹性及灵活性。

    5、持续吸引顶尖人才，提升管理能力

    我们高度重视人才队伍的培养，计划打造一支具备创新能力、强大团队合作精神并能灵活应对市场变动的专业团队，以提升技术创新能力、增强整体竞争力，并支持我们的长期持续发展。

    我们将持续加大人才战略的投入。一方面，根据研发、生产、销售和管理等战略重点，我们将实施全面的人才引进、培养及发展计划，强化人才梯队建设。另一方面，我们将积极拓宽人才引进渠道，与知名高校建立合作。我们将强化战略人才发展机制，建立与角色需求相适应的差异化培训体系，为跨领域关键人员培养赋能。我们也将维持积极的工作环境，实施全面的绩效评估，并提供具竞争力的激励措施，以鼓励持续的价值创造并促进业务创新，从而进一步提升我们的技术实力及创新活力。

    我们将不断完善和优化组织管理体系，建设适应公司发展战略、匹配快速发展的业务规模的组织，提升服务全球客户所需的管理能力，为科学高效的运营管理提供有力保障。我们将持续提升在采购管理、库存管理、销售管理、数字化运营方面的运营效率。

    6、寻求战略投资、合作或收购

    为增强技术能力、拓展业务布局，未来我们计划对与我们形成互补或协同效应的半导体行业的技术、团队、资产或公司进行战略性投资、合作或收购。通过战略性投资、合作或收购，我们计划完善我们的技术组合、提高生产工艺、提升产品品质、拓展销售网络，并扩大我们的可触达市场，从而驱动我们的未来增长。

    (三)经营计划

    2025年天岳先进将继续以“成为国际著名的半导体材料公司”为战略目标，立足新能源和AI引领未来科技革命的契机，始终秉持“先进品质持续”的经营理念，引领行业和技术发展，以高品质产品为客户创造更大的价值。

    2025年，公司将继续围绕以下重点工作，推动天岳先进高质量发展，提升公司长期投资价值。

    1、坚持主业发展方针，持续提升核心产品产能产量

    2025年度，公司将牢牢把握行业发展契机，以济南工厂和上海工厂为核心，计划建立新的海外生产设施，持续提升碳化硅衬底的产能产量，继续提高国际市场占有率。

    公司将通过改进生产流程、加强数字化运营系统等手段对现有产线进行技术升级，打造智慧工厂，从而提升现有产能的生产效率，巩固和提升公司的行业地位，为公司长期业绩增长奠定基础。

    2、加强合作共赢，积极开拓市场

    公司将继续加强与产业链下游龙头客户的长期战略合作，持续拓展国内外不同类型客户，扩大公司的业务规模。公司将继续通过合作共赢，与客户共同抓住碳化硅行业增长的发展机遇。

    3、加大技术研发和前沿技术布局

    公司持续加大研发力度，在基础研究、产品开发以及工程研发等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品良率，降低制备成本，巩固公司作为宽禁带半导体材料领导者的地位。

    在技术研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，激发技术研发人员的创新活力。同时，公司秉承碳化硅材料自主可控为核心战略目标，进一步积极承接各类重大科研项目。

    4、持续建设人才队伍

    公司将继续根据研发、生产的重点布局方向，稳步实施专业人才培养计划，完善生产经营所需的人才梯队，持续开展人才激励计划，以良好的工作环境及企业文化氛围吸引人才、留住人才，保障公司未来的可持续发展。

    公司计划招募和培养专业化的生产团队，以提升我们的交付能力、交付效率和交付质量，满足下游客户持续增长的需求。

    5、加强运营管理水平提升

    公司始终以技术创新推动产品成本降低。同时，随着公司济南工厂、上海工厂以及海外生产设施等组织体系的发展壮大，公司将运用新技术、新手段、新理念等多项并举，有效提升运营效率。

    6、完善上市公司合规体系，提质增效

    公司将持续提升合规意识，优化内部控制流程，完善治理架构，履行社会责任，推动上市公司合规高效运行。公司落实践行“提质增效重回报行动”，以良好的经营业绩、完善的治理架构，持续提升公司的长远投资价值和发展潜力。

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