证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及方法”，专利申请号为CN201911338331.5，授权日为2025年3月7日。
专利摘要：本发明提供应用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构，并基于该测试结构提供一种测试方法，用于检测FinFET工艺特点所导致边缘鳍的弯曲问题；用于FinFET工艺中探测边缘鳍形变的测试结构，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围在3－1000根之间，鳍的宽度在1－50nm之间，鳍长度在0.1－1000um之间，相邻鳍之间的距离在1－100nm之间。
今年以来广立微新获得专利授权19个，较去年同期增加了375%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.32亿元，同比增41.77%。
数据来源：天眼查APP
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