扬杰科技获得实用新型专利授权：“提高体二极管导通性能SiCMOSFET结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“提高体二极管导通性能SiCMOSFET结构”，专利申请号为CN202420964948.8，授权日为2025年1月7日。

专利摘要：提高体二极管导通性能SiC MOSFET结构，涉及半导体器件。从下而上依次包括漏极电极、衬底、外延层和源极电极金属层；所述外延层内设有：P?Well阱区，设有若干，分别从所述外延层的顶面向下延伸；P型重掺杂，设有若干，分别从所述P?Well阱区的顶面向下延伸；N型重掺杂，设有若干，分别从所述P?Well阱区的顶面向下延伸，并与所述P型重掺杂相连接；所述外延层中部P型重掺杂两侧分别设有N型重掺杂；所述源极电极金属层内设有间隔设置的源极驱动系统和栅极驱动系统；本实用新型方法制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。

今年以来扬杰科技新获得专利授权3个，较去年同期增加了50%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.97亿元，同比增19.31%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。