证券之星消息,根据企查查数据显示芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权,专利名为“半导体器件及其制作方法”,专利申请号为CN202311763818.4,授权日为2024年5月10日。
专利摘要:本发明提供一种半导体器件及其制作方法,所述制作方法包括:提供包含第一区域与第二区域的衬底;在第二区域的SGT结构及衬底上形成保护层,同时在第一区域的部分衬底上形成台阶氮化层;在第一区域形成栅极,栅极覆盖部分台阶氮化层以及部分衬底;在第一区域与第二区域形成层间介质层,层间介质层覆盖保护层、栅极以及衬底。本发明采用台阶氮化层代替现有技术中的台阶氧化层,氮化层的介电常数大于氧化层的介电常数,在保证栅极与衬底的隔离效果的前提下,氮化层的厚度可以小于氧化层的厚度,采用台阶氮化层从而能够降低台阶的高度,从而能够同时满足SGT与BCD对层间介质层的厚度需求,提高了器件的性能。
今年以来芯联集成新获得专利授权25个,较去年同期增加了25%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了15.29亿元,同比增82.25%。
数据来源:企查查
以上内容由证券之星根据公开信息整理,由算法生成(网信算备310104345710301240019号),与本站立场无关,如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理,不对您构成任何投资建议,投资有风险,请谨慎决策。