云南锗业获得发明专利授权：“不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示云南锗业（002428）新获得一项发明专利授权，专利名为“不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法”，专利申请号为CN202111179012.1，授权日为2024年3月12日。

专利摘要：不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm?0.76mm。抛光剂采用溴素和乙醇按体积比2：1?1：4进行配置。本发明的优点是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生长的砷化镓单晶体与国家标准（GB/T 30856?2014）对位错的要求相比，其位错非常低、结晶度高。最主要的是晶圆抛光后进行外延，外延淀积速率高,外延层表面质量也较好,外延层的生长参数也易于控制。

今年以来云南锗业新获得专利授权4个，较去年同期增加了300%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1928.1万元，同比增59.06%。

数据来源：企查查

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