证券之星消息,根据企查查数据显示新洁能(605111)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种优化器件特性的半导体结构及其制造方法”,专利申请号为CN201711043510.7,授权日为2024年3月12日。
专利摘要:本发明涉及一种优化器件特性的半导体结构及其制造方法,其特征在于:在所述有源区内,沟槽的下方设有第一导电类型区,所述第一导电类型区包覆沟槽的槽底;本发明通过在有源区沟槽底部设置第一导电类型区,使得有源区耐压低于终端保护区,器件耐压时击穿点位于有源区,同时还降低了器件导通电阻,且该器件制造方法与现有半导体工艺兼容,制造成本低,适应范围广,安全可靠。
今年以来新洁能新获得专利授权8个,较去年同期增加了700%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了4691.76万元,同比增22.4%。
数据来源:企查查
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