士兰微获得发明专利授权：“功率半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示士兰微（600460）新获得一项发明专利授权，专利名为“功率半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202111546517.7，授权日为2024年2月23日。

专利摘要：公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的外延层；位于外延层中的第一介质槽和第二介质槽，第一介质槽和第二介质槽内填充有第一介质层；位于第一介质槽内的栅氧化层、控制栅和屏蔽栅；位于第一介质槽和第二介质槽两侧的源区和漏区；其中，控制栅由外延层表面延伸至第一介质槽上部，屏蔽栅由外延层表面延伸至第一介质槽下部，栅氧化层将控制栅和屏蔽栅、控制栅和外延层隔开。本发明采用两个介质槽的结构使漂移区的形貌不再是直线，而形成折线(V型或凹型)形貌的漂移区，可以增加漂移区的有效长度，在同样的击穿电压下实现更小的特征导通电阻。

今年以来士兰微新获得专利授权14个，较去年同期增加了75%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了3.63亿元，同比增15.47%。

数据来源：企查查

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