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三星电子加速研发下一代高带宽内存 首批HBM4E将于5月生产

三星电子正全力推进其下一代高带宽内存(HBM)产品的研发进程,力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。据报道,三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。业内人士透露,三星有着明确且紧凑的时间规划。其目标是在下月中旬之前,让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。(科创板日报)
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