中小盘主题：磷化铟系列报告（一）：磷化铟是高速光通信的核心衬底材料

（以下内容从开源证券《中小盘主题：磷化铟系列报告（一）：磷化铟是高速光通信的核心衬底材料》研报附件原文摘录）
磷化铟衬底：AI时代光互连体系的底层基础设施
磷化铟是由铟与磷按1:1原子比构成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，磷化铟衬底则是指以高纯磷化铟单晶为原料，经过切割、研磨、抛光等精密加工后形成的单晶薄片，用作后续外延生长的基底。从物理特性看，与硅、砷化镓等其他光通信主流半导体材料相比，使用磷化铟衬底制造的半导体器件，具有直接带隙、高电子迁移率、光电转换效率高、抗辐射能力强、导热性较好、通信波段适配性高等诸多优点，是面向高速光通信的核心材料。从生产工艺看，磷化铟的制造可分为高纯原料制备、多晶合成、单晶生长、晶圆加工（制备衬底）、外延生长、芯片流片制造六大核心环节，其中单晶生长是衬底制造最核心壁垒。
需求+供给+战略三重共振，磷化铟衬底重要性日益凸显
从需求端看，AI数据中心光模块中的EML、DFB、CW激光器和PIN、APD探测器均须生长在磷化铟衬底之上，且速率迭代后单片光模块磷化铟芯片用量显著提升，磷化铟需求已经进入非线性增长通道。根据Lumentum预测，2026至2030年磷化铟光芯片需求量的复合年增长率将达到85%。从供给端看，全球磷化铟衬底新增供给受长晶良率、客户认证和设备交付周期的约束，有效产能释放缓慢，磷化铟衬底长期处于紧平衡状态，超70%的供需缺口使得磷化铟衬底正经历一场由“供不应求”掀起的涨价浪潮。从战略端看，中国是全球最大的原生铟精炼生产国，且自2025年2月起又将磷化铟及相关前驱体列入了出口管制，有望将上游材料控制力转化为产业链安全与地缘博弈中的战略筹码。
InP衬底供应向大尺寸演进，竞争要素向良率提升转变
从行业发展趋势看，6英寸磷化铟衬底已从“技术储备”演变为“产业重点”。一方面，需求端已明确指向大尺寸化。随着AI数据中心推动800G向1.6T、3.2T升级，EML、DFB、CW激光器及高速探测器对衬底面积提出更高要求，行业主流规格因此由2英寸逐步转向4英寸、6英寸。另一方面，6英寸具备显著经济性优势。6英寸晶圆理论面积约为4英寸的2.25倍，由3英寸切换至6英寸后，单片器件产出可提升约4倍、成本约降至一半，且6英寸产线良率和毛利结构优于3英寸。从行业竞争逻辑看，磷化铟衬底已由“订单导向”切换至“良率导向”。在AI算力驱动下，当前磷化铟衬底行业需求已被充分验证，头部厂商订单已普遍排至2027-2028年，因此订单不再是企业能力差异的核心来源，行业竞争焦点已逐步转向良率与有效产能释放。我们认为，未来磷化铟衬底头部厂商能够通过更高的工艺成熟度和更稳定的良率，摊薄折旧、人工、能耗与返工成本，形成持续性的成本与交付优势，将本轮行业景气度真正转化为市场份额和盈利弹性。
受益标的：博杰股份、云南锗业、光智科技等。
风险提示：供给释放超预期、技术路线替代、原料供给约束等。