电子行业事件点评：CoWoS供给约束凸显，EMIB-T打开先进封装新路径

（以下内容从爱建证券《电子行业事件点评：CoWoS供给约束凸显，EMIB-T打开先进封装新路径》研报附件原文摘录）
投资要点：
事件：据财联社9月2日报道，TSMCCoWoS封装订单已排至2027年，部分客户交付周期拉长至12个月以上，高端2.5D封装供给约束进一步加剧。在CoWoS产能受限背景下，Intel先进封装方案作为产业备选路径，客户关注度持续提升。MediaTek明确AIASIC研发将并行采用CoWoS与EMIB-T，Broadcom、Meta评估由CoWoS向EMIB迁移以优化成本，Google、NVIDIA亦已启动EMIB-T技术评估。CoWoS供给紧张倒逼企业寻找替代方案，EMIB-T技术验证与导入节奏有望提速，我们看好先进封装技术迭代带动封装代工、硅桥及硅中介层等环节需求提升。
EMIB-T将硅桥互联单元集成于封装内部，实现由整片大尺寸硅中介层向局部硅桥互联的技术路线转变。传统CoWoS依托整片硅中介层完成多颗AI芯片高速互联，但该方案硅晶圆消耗大、制造周期偏长，TSMC扩产节奏难以匹配AI算力爆发带来的增长需求。EMIB-T把小型硅桥嵌入有机封装基板内部，仅在芯片互联关键位置精准部署硅材料，规避传统方案下高成本整片中介层的开销。据IntelECTC大会报道，EMIB-T最大可支持120×180mm封装尺寸，链路能效可达0.25pJ/bit，能够适配多代高带宽内存标准。该方案互联能力可接近CoWoS水平，同时大幅降低硅片资源损耗、压缩制造成本。Wccftech数据显示，EMIB-T封装成本相较CoWoS可降低约50%，为高端算力封装提供一条差异化备选路径。
EMIB-T若实现规模化落地，有望打破高端AI先进封装高度依赖CoWoS的单一供给格局。1）供给端，依托差异化的硅桥嵌入基板工艺架构，EMIB-T可形成2.5D等效封装的有效供给补充，推动算力封装供给约束由单一厂商产能扩张瓶颈，逐步向多技术路线并行的格局演进。2）需求端，下游云厂商对供应链安全与成本可控诉求凸显，EMIB-T带来的封装端成本优化能够向下传导，降低AIASIC厂商BOM压力，助力芯片厂商推进供应链多元化布局。3）成本侧，伴随EMIB-T成熟落地，行业或将重构2.5D封装议价体系，倒逼CoWoS持续迭代降本，中长期带动先进封装赛道成本中枢下行。
良率爬坡驱动EMIB-T由技术评估迈向样品验证，2027年有望迎来小批量交付拐点。硅桥嵌入基板工艺、多栈HBM集成兼容性、整体良率仍是制约大规模商用的核心变量。据Wccftech、中电网报道，EMIB-T封装总良率已接近90%，但硅桥嵌入基板环节良率仅约50%，基板工艺成为当前主要瓶颈。伴随良率持续改善、多栈HBM集成等关键问题逐步解决，我们预计2027年EMIB-T有望在中高端AIASIC、多栈HBM集成场景完成样品验证并实现小批量交付。
投资建议：TSMCCoWoS高端2.5D封装产能持续紧张，订单排期拉长，供给约束成为制约AI芯片出货的核心瓶颈。EMIB-T采用基板嵌入局部硅桥架构，依托硅桥精准互联的核心优势，可实现接近CoWoS的互联性能，封装成本得到显著优化。展望未来，随着海内外头部芯片厂商技术评估持续推进，EMIB-T技术验证与客户导入节奏有望提速，伴随良率持续爬坡优化，高端算力封装有望逐步进入多技术路线并行发展阶段。全球先进封装高景气、高阶2.5D/3D需求外溢，先进封装产业链有望受益，建议关注甬矽电子(688362.SH)、盛合晶微(688820.SH)。
风险提示：1）先进封装良率爬坡不及预期；2）地缘政治与供应链安全风险；3）AI应用大规模商业化进度不及预期。