事件概述公司发布 2019年年度报告,2019年实现营收 57.43亿元,同比下降 8.42%;实现归属母公司股东净利润为 4.01亿元,同比下滑 6.68%;同时公司发布 2020年一季度业绩报告,实现营收13.82亿元,同比增长 16.53%;归属于上市公司股东净利润1.14亿元,同比增 631.73%,主要系营业收入增长、毛利率提升、产品获利能力好于去年同期所致。
? ? 一季度业绩 快速增长, 原有产线 折旧金额整体呈下降趋势依据公司招股说明书,2019年 H1公司 6英寸和 8英寸产线产能利用率分别为 76.52%、78.92%,而 2017年/2018年公司 6英寸和 8英寸产线产能利用率均接近 100%,接近满产情况下公司2017年和 2018年营收分别为 58.76亿元、62.71亿元,2019年营收则相应有所下滑。而 2019年一季度由于春节假期和年度生产线集中检修影响,产能利用率较低削弱了产品毛利,2020年 Q1销售毛利率则为 24.92%,显著提升。2016~2019年公司固定资产净值分别为 36.77亿元、42.26亿元,38.98亿元、38.16亿元;当期折旧分别为 9.06亿元、13.09亿元、9.15亿元、6.62亿元,其中 2017年计提折旧金额上升主要系 2017年合并重庆华微所致。公司产线折旧主要是重庆华微 8英寸产线和华润上华二厂 8英寸产线,2018年这两条产线折旧合计金额为 4.1亿元,占整体产线折旧金额比例接近 65%。公司设备成新率逐年下降,预计在现有生产经营计划等不发生重大改变的情况下,公司主要生产线的折旧金额将总体呈下降趋势。但随着募投项目的实施以及其他可能相关的资本开支可能会增加一定的折旧费用。
? ?T MOSFET 国内领先, IGT BT 获突破根据 IHS Markit 的统计,以销售额计,公司在中国 MOSFET 市场中排名第三,仅次于英飞凌与安森美两家国际企业,是中国本土最大的 MOSFET 厂商。2019年公司完成了多层外延超结 650-700V 工艺平台的研发,并向快充、适配器、照明和大功率电源等主流市场推出了多颗产品。同时公司通过整合内部资源,加快低压沟槽栅 MOS 器件产品的系列化和升级换代,向市场推出了30V 系列产品,多颗产品被国内关键客户认定并开始采购。同时,公司在 IGBT 器件和制造工艺领域积累了多项具有自主知识产权的核心技术,公司 IGBT 产品进入工业控制领域,并被批量采用;2019年 IGBT 产品的销售额同比提升 45%。我们认为,在功率器件国产替代加速进行,公司基于多年 IDM 模式优势有望实现较快的增长。
? ? 积极布局第三代半导体 器件 , 加大研发卡位领先优势2019年公司充分利用 IDM 模式优势和在功率器件领域雄厚的技术积累开展 SiC 功率器件研发,完成 1200V、650V JBS 产品开发和考核,并送客户试用,同时完成 6英寸 JBS 中试生产线一期项目建设。Yole 数据显示,2017-2023年 SiC 功率元器件市场规模的复合年增长率为 31%,预计到 2023年超过 15亿美元,预计 2022年 GaN 市场规模约为 4.5亿美元,SiC 与 GaN 前景可期,公司加大研发投入卡位领先优势。
投资建议基于全球疫情带来的终端消费需求影响,我们调整此前盈利预测,预计 2020~2022年公司营收分别为 68.90亿元、79.00亿元、90.00亿元(此前 2020~2021年预测营收为 69.60亿元、83.52亿元);预计实现归属于母公司股东净利润 4.89亿元、6.70亿元、7.81亿元(此前 2020~2021年预测归母净利润为6.35亿元、8.16亿元)。鉴于公司在 MOSFET 领域的领先地位及未来成长空间足,我们给予一定的估值溢价,维持“买入”评级。
风险提示存在与累计未弥补亏损相关的风险;半导体行业存在周期性;
与国际厂商存在技术差距等。
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